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J-GLOBAL ID：202202257835489449   整理番号：22A0637295

CuドープBi_2Te_2.7Se_0.3の室温熱電特性の強い増強【JST・京大機械翻訳】

Strong enhancement of room-temperature thermoelectric properties of Cu-doped Bi₂Te_2.7Se_0.3

著者 (7件)： Kim Gwansik (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Lee Kyungmi (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Shin Hyunjun (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Jeongmin (DGIST, 333 Techno Jungang-daero, Hyeonpung-eup, Dalseong-gun, Daegu 42988, Republic of Korea) ,  Chang Joonyeon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Roh Jong Wook (School of Nano and Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, Gyeongsangbuk-do 37224, Republic of Korea) ,  Lee Wooyoung (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 4  ページ： 043903-043903-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単なドーピングプロセスおよび放電プラズマ焼結を用いて製作したCuドープBi_2Te_2.7Se_0.3の熱電特性を調べた。Cuドーピングの正確な制御により,Cu原子は優先的にBiサイトを占有し,Cu含有量の増加とともにvan der Waalsギャップにインターカレートすることが判明した。Cuドープ試料の電気輸送特性をこの機構を用いて系統的に制御した。同時に,Cuドープ試料の熱伝導率は,Cu原子による点欠陥フォノン散乱の増強によって減少した。元の試料と比較して,Cuドープ試料の323Kでの0.98の無次元熱電性能指数(ZT)は,これらの相乗効果により92%以上増加した。さらに,室温への最大ZTのシフトは,室温での熱電効果の応用を拡大する利点を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 散乱 ,  点欠陥 ,  熱伝導率 ,  *銅 ,  相乗作用 ,  間隙 ,  性能指数 ,  *ドーピング ,  熱電効果 ,  *室温 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  輸送特性 ,  *熱電特性 ,  Cu含有量 ,  熱電性能指数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  ドープ ,  室温 ,  熱電特性 ,  増強