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J-GLOBAL ID：202202257898574069   整理番号：22A0986835

BA_s/GaNヘテロ接合極性界面の機械的強度とバンドアラインメント:第一原理計算研究【JST・京大機械翻訳】

Mechanical strength and band alignment of BAs/GaN heterojunction polar interfaces: A first-principles calculation study

著者 (2件)： He Yuxi (School of Physics and Astronomy, and Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Sun Hong (School of Physics and Astronomy, and Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： 034603  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,GaN-on-BAsが合成され,GaN-オン-ダイヤモンドに比べて著しく低い熱境界抵抗を有するGaNベースの高出力電子デバイスにおける効率的な熱管理のための有望な構造として実証された。本論文では,第一原理計算を用いて,極性BAs/GaNヘテロ接合および超格子に対する理想強度およびバンドアラインメントに関する研究を報告した。その結果,通常の圧縮の下では,全てのBAs/GaN界面構成は,バルクGaN[0001]方向に比べてはるかに高い圧縮剛性を示し,圧縮下の構造変態中のGaN軟化は著しく抑制され,外部衝撃下での電子特性の保護を改善することを示した。ミスマッチBAs/GaNヘテロ接合の自然バンドアラインメントを3段階アプローチによって計算した。大部分のヘテロ接合とすべての超格子界面は,タイプIIスタガードバンドオフセットを示した。大きな分極ビルトイン電場を,繰り返し正および負帯電N-AsおよびGa-B界面を有する超格子で予測し,電子および正孔を異なる界面へ効果的に分離でき,光触媒プロセスに望ましい,鋸歯状双極子ポテンシャルを生成した。本研究は,BAs/GaNヘテロ接合が,高出力電子デバイスの将来の設計において,GaN-オン-ダイヤモンド熱放散システムに対して,非常に必要な代替を提供するだけでなく,タイプII半導体ヘテロ接合または超格子として,光起電力および光触媒デバイスへの応用の可能性も提供することを示した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  超格子 ,  光起電力 ,  正孔 ,  熱放射 ,  分極 ,  ダイヤモンド ,  剛性 ,  双極子 ,  *窒化ガリウム ,  負電荷 ,  光触媒
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  ヘテロ接合 ,  極性 ,  界面 ,  機械的強度 ,  バンドアラインメント ,  第一原理計算 ,  研究