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J-GLOBAL ID：202202258237958715   整理番号：22A1161748

触媒水素発生のための2DMoS_2基底Planes上の孤立S空孔のエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering Isolated S Vacancies over 2D MoS₂ Basal Planes for Catalytic Hydrogen Evolution

著者 (7件)： Jiang Ling (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China) ,  Zhou Qian (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China) ,  Li Jing-Jing (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China) ,  Xia Yu-Xin (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China) ,  Li Huan-Xin (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China) ,  Li Huan-Xin (Department of Engineering, University of Cambridge, U.K.) ,  Li Yong-Jun (State Key Lab of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan University, China)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 3  ページ： 3521-3530  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2基底面の水素発生反応(HER)活性がS空孔によって活性化できるという事実に関してコンセンサスを構築した。現在,S空孔を作製するための一般的な戦略はMoS_2のS原子の一部を除去することである。S原子の同じ同一性のため,除去プロセスは通常ランダムであり,選択性を持たない。ここでは,SeドープMoS_2(Se-MoS_2)の調製とそれに続くSe-MoS_2のSe除去により,単一原子S空孔(SV-MoS_2)を有するMoS_2を作製する欠陥事前設計戦略を開発した。S空孔はドープしたSe原子の蒸発に起因し,S空孔の形成が高い選択性を持ち,S空孔の濃度を正確に調節する良い可能性を高める。結果は,S空格子点の濃度が~7.46%から13.54%の範囲に制御できることを示した。S空孔の12.10%のMoS_1.76は,優れたHER性能を示し,10mA cm-2で100mVの過電圧と49mVdec-1のTafel勾配を示し,S空孔の最適濃度に関する理論予測を確証した。密度汎関数理論計算は,MoS_2基底面の活性化が本質的にS空孔のバンド構造への修飾とMoS_2の状態密度から生じ,水素吸着エネルギーを最適化することを明らかにした。この欠陥事前設計戦略はS空孔の凝集体を形成する確率を低減し,S空孔がMoS_2の性質にどのように影響するかを理解するためにより役に立つ。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  *空格子点 ,  最適化 ,  バンド構造 ,  セレン ,  *触媒 ,  過電圧 ,  ドーピング ,  硫化モリブデン ,  状態密度 ,  *発生 ,  密度汎関数法 ,  水素発生反応
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  単一原子 ,  *水素発生 ,  密度汎関数計算 ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二硫化モリブデン ,  硫黄空孔 ,  セレンドーピング ,  水素発生反応 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 触媒 ,  水素発生 ,  基底 ,  空孔 ,  エンジニアリング