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J-GLOBAL ID：202202258253411355   整理番号：22A1162497

BiドープCdWO_4ナノ構造のワンポット水熱合成と欠陥増強光触媒活性【JST・京大機械翻訳】

One-pot hydrothermal preparation and defect-enhanced photocatalytic activity of Bi-doped CdWO₄ nanostructures

著者 (9件)： Narsimha Kura (Nanomaterials & Catalysis Research Laboratory, Department of Chemistry, University College of Science, Osmania University, Hyderabad-500 007, Telangana, India. [e-mail]) ,  Anuradha N. ,  Sudarshan Kathi ,  Gandhi Ashish Chhaganlal ,  Raju A. Krishnam ,  Reddy P. Muralidhar ,  Mone Radhika ,  Upender G. ,  Kumar B. Vijaya
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 15  ページ： 8775-8786  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光触媒の分野では,種々の欠陥による電子-正孔再結合の抑制が光触媒活性を増強するための新たな傾向であった。ワンポット水熱法を用いて調製した,よく探索した鉄マンガン重石構造単斜晶CdWO_4の電子-正孔再結合の分離効率は,CdWO_4中のBi3+ドーピングによってさらに改善された。部分状態密度を用いた研究は,Bi 6sと6p軌道が電子バンド構造を変化させ,バンドギャップを低下させ,より多くの光子吸収をもたらすことを明らかにした。陽電子消滅寿命研究は,BiドープCdWO_4中のカドミウム空孔と共に酸素(V,V_o1+,V_o2+)のようなクラスタ欠陥の形成を明らかにした。色素とO_2分子に対するV,V_o1+,V_o2+,V_Cdのより多くの吸着サイトの共存と相乗効果,適切な酸化物/レドックスバンド電位,特にW-O1-Bi-O_2-W結合による修飾電子バンド構造は,BiドープCdWO_4が,メチルオレンジ分解において支配的な役割を演じた。全ての実験結果は,Cd2+でのBi3+ドーピングがCdWO_4を促進し,優れた光触媒活性を示すことを明らかにした。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空格子点 ,  *水熱合成 ,  電位 ,  カドミウム ,  *触媒活性 ,  色素 ,  *ドーピング ,  クラスタ ,  単斜晶系 ,  *光触媒 ,  *ナノ構造 ,  キャリア再結合 ,  バンドギャップ ,  スルホン酸 ,  芳香族アミン ,  アゾ化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  *光触媒活性 ,  電子-正孔再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (1件)： メチルオレンジ

タイトルに関連する用語 (7件)： Bi ,  ドープ ,  ポット ,  水熱合成 ,  欠陥 ,  増強 ,  光触媒活性