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J-GLOBAL ID：202202258283728065   整理番号：22A0564317

光触媒多様性における有益な候補としての黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)系半導体【JST・京大機械翻訳】

Graphitic carbon nitride (g-C₃N₄)-based semiconductor as a beneficial candidate in photocatalysis diversity

著者 (13件)： Hayat Asif (State Key Laboratory of Photocatalysis on Energy and Environment, College of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou 350116, PR China) ,  Al-Sehemi Abdullah G. (Department of Chemistry, Faculty of Science, Research Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, Abha 61413, P.O. Box 9004, Saudi Arabia) ,  El-Nasser Karam S. (Chemistry Department, College of Science and Arts, Jouf University, P.O. Box 756, Al-Gurayyat, Saudi Arabia) ,  Taha T.A. (Physics Department, College of Science, Jouf University, P.O. Box: 2014, Sakaka, Saudi Arabia) ,  Taha T.A. (Physics and Engineering Mathematics Department, Faculty of Electronic Engineering, Menoufia University, Menouf 32952, Egypt) ,  Al-Ghamdi Ahmed A. (Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah 21589, Saudi Arabia) ,  Jawad Ali Shah Syed (Department of Material Science and Engineering, College of Engineering and Applied Sciences, Nanjing University, Nanjing 210023, PR China) ,  Amin Mohammed A. (Department of Chemistry, College of Science, Taif University, P.O. Box 11099, Taif 21944, Saudi Arabia) ,  Ali Tariq (Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, College of Energy, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Bashir Tariq (Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, College of Energy, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Palamanit Arkom (Energy Technology Program, Department of Specialized Engineering, Faculty of Engineering, Prince of Songkla University, 15 Karnjanavanich Rd., Hat Yai, Songkhla 90110, Thailand) ,  Khan Javid (School of Chemistry, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Nawawi W.I. (Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, Cawangan Perlis 02600, Arau Perlis, Malaysia)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 47  号： 8  ページ： 5142-5191  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化石燃料ベースの汚染物質の酸化,二酸化炭素の還元,不均一光触媒反応,および不燃性で再生可能な水素ガスの発生など,異なる分野での太陽エネルギーの将来の利用により,半導体を利用する。金属フリー光触媒として,黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)を,約2.7eVのバンドエネルギー,堅牢な光化学安定性,およびより良い光捕集効率を有する優れた電子構造のために,これらのエネルギーハザードと生態学的困難を解決するために分類した。しかし,その光触媒性能は,小さな表面積と貧弱な伝導率のため,まだ不十分である。したがって,巨大バンドギャップ材料と組み合わせることによるヘテロ接合形成は,その独特のバンド構造における分極を回復させ,その光吸収能力を増加させ,その表面積を増強するための潜在的アプローチである。この点に関して,種々の合成法が,その光触媒活性をブースティングするために,g-C_3N_4および他の材料を統合するために,これまで適用されてきた。今まで,金属酸化物,硫化物,およびフェライトは,g-C_3N_4依存ナノ複合材料を合成するために,同定され,定義された材料の3つの重要なグループである。結果として,本レビューでは,太陽エネルギー適応と汚染制御への応用で,最も最近のg-C_3N_4ナノ複合材料のリストを編集した。本研究は,ナノ材料ベースのg-C_3N_4複合材料と現在の問題を解決するための一連の付加的洞察を研究するための次の段階について概観する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *半導体 ,  光吸収 ,  フェライト ,  硫化物 ,  汚染物質 ,  *グラファイト ,  触媒活性 ,  二酸化炭素 ,  太陽エネルギー ,  *光触媒 ,  ロバスト性 ,  バンドギャップ ,  ナノ材料
準シソーラス用語： *窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラファイト状窒化炭素 ,  ヘテロ接合 ,  複合材料 ,  光触媒 ,  エネルギー変換 ,  環境修復

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒 ,  多様性 ,  黒鉛 ,  窒化炭素 ,  系