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J-GLOBAL ID：202202258296638914   整理番号：22A1035367

Si/SiGe超格子の異方性熱伝導率【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic Thermal Conductivity of Si/SiGe Superlattice

著者 (5件)： Zhou S. Q. (University of California) ,  Chen G. (University of California) ,  Liu J. L. (University of California) ,  Zheng X. Y. (University of California) ,  Wang K. L. (University of California)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE98  ページ： 249-254  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の実験的および理論的研究は,超格子の熱伝導率が界面フォノン散乱により著しく減少できることを示した。これらの研究は,熱電子およびマイクロエレクトロニクス応用のためのナノ構造の熱伝導率を制御するためのフォノン工学の興味深い可能性を高める。GaAs/AlAs,Si/Ge,およびBi_2Te_3/Sb_2Te_3超格子について,顕著な熱伝導率低下の実験証拠を報告した。本研究では,2ワイヤ3ω法により測定されたSi/Si_0.71Ge_0.29(50Å/10Å)超格子の異方性熱伝導率に関する実験結果を示した。実験結果は,Si/Si_0.71Ge0.29超格子の交差面と面内熱伝導率の両方が,Fourier熱伝導理論の予測と比較して3倍減少することを示す。これらの還元は,SiとGeの間のものよりSiとSi_0.71Ge0.29の間の材料特性の小さな不整合によって説明できる,同等の厚さの純粋なSi/Ge超格子で観察されるほど大きくない。本研究は,フォノン工学による低次元構造の熱物理特性を制御するアイデアを支持する予備的実験的証拠を提供した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *超格子 ,  散乱 ,  *熱伝導率 ,  *熱伝導 ,  フォノン ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  ヒ化ガリウム ,  熱的測定 ,  ヒ化アルミニウム ,  金属線 ,  マイクロエレクトロニクス ,  ナノ構造
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  3ω法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiGe ,  超格子 ,  異方性 ,  熱伝導率