文献
J-GLOBAL ID:202202258513827253   整理番号:22A0956832

GaNにおける励起子Mott密度の低温限界:実験的再評価【JST・京大機械翻訳】

The low temperature limit of the excitonic Mott density in GaN: an experimental reassessment
著者 (7件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 033031 (9pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7017A  ISSN: 1367-2630  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaNレーザに関する研究は,レーザ発振閾値の連続低減を目的とする。これを達成するアプローチは,刺激したポラリトン散乱の利用から成る。この機構および関連するポラリトンレーザは,ポラリトンが光子と励起子の結合から生じるので,GaN励起子特性の詳細な知識を必要とする。高い励起強度の下で,励起子状態は自由キャリアによるCoulombスクリーニングのためにもはや存在しなかった。この現象はいわゆるMott密度で起こる。本研究の目的は,5Kでのパワー依存性マイクロ光ルミネセンスと時間分解実験により,高品質のバルクGaN試料中の準連続光励起下の励起子の漂白を研究することである。時間分解光ルミネセンスは,注入キャリア密度の信頼できる評価に必要な励起強度の関数としてキャリア寿命を測定することができる。主発光の赤方偏移と共に励起子線の消滅は,(6±3)×1016cm-3のキャリア濃度に対するMott転移の発生を証明した。この値は,文献で発表された以前の決定より1桁以上小さく,多体計算と一致する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
励起子 

前のページに戻る