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J-GLOBAL ID：202202258515245806   整理番号：22A0637308

強磁性Fe_2Ge半金属薄膜における磁気輸送【JST・京大機械翻訳】

Magnetotransport in ferromagnetic Fe₂Ge semimetallic thin films

著者 (6件)： Forbes Andrew W. (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA) ,  Bhattarai Niraj (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA) ,  Gassen Christopher (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA) ,  Saqat Raghad S. H. (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA) ,  Pegg Ian L. (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA) ,  Philip John (The Vitreous State Laboratory, Washington, DC 20064, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 4  ページ： 043902-043902-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性Fe_2Ge薄膜を分子線エピタキシーにより成長させ,それらの電気的および磁気輸送特性を初めて測定した。X線回折と振動試料磁気測定は,結晶強磁性Fe_2Ge相を確認した。低温における電子-マグノン散乱の観測された抑制と同様に,縦方向抵抗率における観測された高温最大値は,この材料における強いスピン分極の存在を指摘する。Hall抵抗率ρ_xyの測定は,通常のHall効果と異常なHall効果,ρ_xyAHの両方からの寄与を示し,そこから電荷キャリア濃度と移動度を決定した。測定はまた,縦および横の両形状において小さな負の磁気抵抗を示した。Fe_2Geは,特に半導体適合性のために有用なスピントロニクス材料として有望である。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall効果 ,  X線回折 ,  移動度 ,  *強磁性 ,  高温 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  マグノン ,  *輸送現象 ,  スピン分極 ,  キャリア ,  MBE成長 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *磁気輸送 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強磁性 ,  半金属薄膜 ,  磁気輸送