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J-GLOBAL ID：202202258576255342   整理番号：22A0388469

11遷移金属の磁気誘導加熱によるグラフェンと2D材料合成のコンピュータ支援設計【JST・京大機械翻訳】

Computer-aided design of graphene and 2D materials synthesis via magnetic inductive heating of 11 transition metals

著者 (9件)： Dhaouadi Elyes (Universite Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux, CNRS, LSPM-UPR 3407, F-93430 Villetaneuse, France) ,  Dhaouadi Elyes (Laboratoire Materiaux, Molecules et Applications (Amilcar), Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques (IPEST), Universite de Carthage, La Marsa, 2075, Tunisia) ,  Hinkov Ivaylo (Department of Chemical Engineering, University of Chemical Technology and Metallurgy, 8 Boulevard St Kliment Ohridski, 1756 Sofia, Bulgaria) ,  Pashova Katya (Universite Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux, CNRS, LSPM-UPR 3407, F-93430 Villetaneuse, France) ,  Pashova Katya (Department of Chemical Engineering, University of Chemical Technology and Metallurgy, 8 Boulevard St Kliment Ohridski, 1756 Sofia, Bulgaria) ,  Challab Nabil (Universite Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux, CNRS, LSPM-UPR 3407, F-93430 Villetaneuse, France) ,  Roussigne Yves (Universite Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux, CNRS, LSPM-UPR 3407, F-93430 Villetaneuse, France) ,  Abderrabba Manef (Laboratoire Materiaux, Molecules et Applications (Amilcar), Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques (IPEST), Universite de Carthage, La Marsa, 2075, Tunisia) ,  Farhat Samir (Universite Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux, CNRS, LSPM-UPR 3407, F-93430 Villetaneuse, France)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 10  ページ： 105302 (23pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF磁場誘導熱金属箔がグラフェンを成長させる高周波(RF)誘導加熱システムの性能に及ぼす最も影響力のある操作パラメータの影響を決定するために,数値シミュレーションを行った。システムの熱効率は,材料の電気伝導率と皮膚深さと同様に形状に依存する。標準グラフェンおよび2D材料成長条件中の過渡温度および磁場分布を予測するために,有限要素ソフトウェアを用いて,特定のグラフェンおよび二次元(2D)材料成長条件下で,プロセスをシミュレーションした。提案したモデルは,Ag,Au,Cu,Ni,Co,Pd,Pt,Rh,Ir,MoおよびWを含む,異なるコイルHelmholtz様形状および11の金属箔を考慮した。各場合において,グラフェンとMoS_2成長に適した温度範囲1035°C~1084°Cまたは700°C~750°Cのプロセス変数の最適窓を見出した。エッジと基板の中心の間のシミュレートしたプロファイルから計算した温度勾配は,Au,Ag,Cuのような貨 metals金属に対して~2%以下の熱均一性を示し,Pdに対して7%までであった。銅上のグラフェン成長に対してモデル検証を行った。その限られた熱伝導率のため,良好な加熱均一性が得られた。結果として,欠陥の少ない銅上の単層グラフェンの全被覆と~2μmの結晶粒ドメインサイズが得られた。基板温度は,約90秒後に大気から~1035°Cに達し,モデル予測と非常によく一致した。これは,省エネルギーによる高速,局所,均一,および正確な加熱に関してプロセス効率の改善を可能にする。これらの利点により,誘導加熱はグラフェンと2D材料の大規模で迅速な製造に大きな可能性を有する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  銅 ,  パラジウム ,  被覆 ,  *誘導加熱 ,  HF【周波数】 ,  結晶粒 ,  ソフトウェア ,  温度勾配 ,  *二次元 ,  金属箔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  磁気 ,  誘導加熱 ,  グラフェン ,  2D ,  コンピュータ支援設計