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J-GLOBAL ID：202202258621300545   整理番号：22A0651058

BドープCz-Siインゴットの異なる位置からのPERC太陽電池のin situ LIDと再生【JST・京大機械翻訳】

In Situ LID and Regeneration of PERC Solar Cells from Different Positions of a B-Doped Cz-Si Ingot

著者 (9件)： Yuan Shuai (School of Materials Science and Engineering, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Ding Siqi (School of Materials Science and Engineering, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Ai Bin (School of Materials Science and Engineering, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Chen Daming (State Key Laboratory of PV Science and Technology, Trina Solar, Changzhou 213031, China) ,  Jin Jingsheng (Jinko Solar Holding Co. Ltd., Haining 314416, China) ,  Ye Jiaxing (School of Materials Science and Engineering, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Qiu Depeng (School of Materials Science and Engineering, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Sun Xiaopu (CSG PVTECH Co., Ltd., Dongguan 523141, China) ,  Liang Xueqin (Yichang CSG Polysilicon Co., Ltd., Yichang 443007, China)
資料名： International Journal of Photoenergy (Web)  (International Journal of Photoenergy (Web))
巻： 2022  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7744A  ISSN： 1110-662X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンインゴット中のシリコンウエハの異なる位置から製造した工業用PERC太陽電池の光誘起劣化(LID)と再生を調べるために,いくつかの距離で,市販の太陽グレードのホウ素ドープCzochralskiシリコン(Cz-Si)インゴットから,ある距離で,そして,ホウ素,酸素,炭素,および遷移金属不純物の濃度の測定後に,標準工業プロセスを用いて,PERC太陽電池に,シリコンウエハの5つのグループをカットした。次に,それらのI-V特性パラメータ(効率[数式:原文を参照],開回路電圧[数式:原文を参照],短絡回路電流[数式:原文を参照],およびフィルファクタ[数式:原文を参照])の変化を,第1LID(45°C,1太陽,12時間),再生(100°C,1太陽,24時間)および第2LID(45°C,1太陽,12時間)の間,太陽電池I-V試験機を用いてin situ測定した。結果は,LIDとPERC太陽電池の再生が,二次的な役割を果たすFe-B対の解離と共に支配的な役割を果たすB-O欠陥の遷移に起因することを示した。1番目のLIDの間の[数式:原文を参照]の減衰は,[数式:原文を参照],および[数式:原文を参照]の分解によって引き起こされ,一方,再生の間の[数式:原文を参照]の増加は,主に,[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]によって寄与し,そして,2番目のLIDの間の[数式:原文を参照]の減衰は主に,[数式:原文を参照]の分解によって誘発された。再生の後,[数式:原文を参照]の減衰率は,第1のLIDの間,4.43%-5.56%(相対)から第2のLIDの間,0.33%-1.75%(相対)に減少した。Copyright 2022 Shuai Yuan et al. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽 ,  *太陽電池 ,  不純物 ,  酸素 ,  炭素 ,  ホウ素 ,  誘導 ,  短絡電流 ,  *インゴット ,  劣化 ,  再生 ,  *ドーピング ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 光誘起 ,  シリコンウエハ ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  金属不純物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (34件)：

• T. Niewelt, J. Schön, W. Warta, S. W. Glunz, M. C. Schubert, "Degradation of crystalline silicon due to boron-oxygen defects," IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 1, pp. 383-398, 2017.
• J. Lindroos, H. Savin, "Review of light-induced degradation in crystalline silicon solar cells," Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 147, pp. 115-126, 2016.
• J. Schmidt, "Light-induced degradation in crystalline silicon solar cells," Solid State Phenomena, vol. 95-96, pp. 187-196, 2003.
• B. Hallam, A. Herguth, P. Hamer, N. Nampalli, S. Wilking, M. Abbott, S. Wenham, G. Hahn, "Eliminating light-induced degradation in commercial p-type Czochralski silicon solar cells," Applied Sciences, vol. 8, no. 1, pp. 10, 2018.
• A. Herguth, G. Schubert, M. Kaes, G. Hahn, "Avoiding boron-oxygen related degradation in highly boron doped Cz silicon," Proceedings of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EUPVSEC), pp. 530-537, Dresden, Germany, 2006.

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  Si ,  インゴット ,  太陽電池