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J-GLOBAL ID:202202258693023559   整理番号:22A0648809

スロットダイ印刷PS-b-P4VPとPS-b-P4VP/FeCl3薄膜のin situ GISAXS観察と大面積均一性研究【JST・京大機械翻訳】

In Situ GISAXS Observation and Large Area Homogeneity Study of Slot-Die Printed PS-b-P4VP and PS-b-P4VP/FeCl3 Thin Films
著者 (13件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 3143-3155  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高い表面対体積比を有するメソポーラスヘマタイト(α-Fe_2O_3)薄膜は,エネルギー変換および貯蔵における光電極または電気化学電極として大きな可能性を示す。本研究では,スケールアップ可能なスロット-ダイ被覆技法の支援により,構造指向剤として両親媒性ジブロック共重合体ポリ-(スチレン-b-4-ビニルピリジン(PS-b-P4VP)に基づいて,局所的に高度に秩序化したα-Fe_2O_3薄膜を印刷することに成功した。純粋なPS-b-P4VP膜を比較のために同じ条件下で印刷した。溶液中のジブロック共重合体のミセル化,印刷薄膜の膜形成プロセス,横方向および垂直方向における乾燥膜の均一性,および焼成ハイブリッドPS-b-P4VP/FeCl_3薄膜に関する形態学的および組成的情報を調べた。溶媒蒸発過程中の対流のため,P4VPマトリックス中の垂直配向円筒PSドメインの類似のディンプル型構造が,印刷PS-b-P4VPとハイブリッドPS-b-P4VP/FeCl_3薄膜の両方に対して開発された。Fe3+イオンとビニルピリジン基間の配位効果は,シリコン基板へのP4VP鎖の付着能力に大きく影響した。従って,2つの印刷膜において,垂直方向における厚さと同様に横方向における明確な特徴サイズと均一性を示した。高温でのハイブリッドPS-b-P4VP/FeCl_3膜から高分子テンプレートを除去することにより,局所的に高度に秩序化したメソポーラスα-Fe_2O_3膜を得た。このように,均一なメソポーラスα-Fe_2O_3薄膜を製造するための容易でスケールアップ可能な印刷技術を示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
高分子固体の構造と形態学  ,  二次電池  ,  半導体薄膜 

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