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J-GLOBAL ID：202202258731317678   整理番号：22A0798074

新しい超低摩擦ヘテロ構造:アルミニウム基板-ハニカムボロフェン/グラフェンヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

A novel ultra-low friction heterostructure: Aluminum substrate-honeycomb borophene/graphene heterojunction

著者 (10件)： Xu Yuanpu (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Xu Yuanpu (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhu Xinghua (Key Lab of Advanced Technology of Materials of Education Ministry, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China) ,  Cheng Ziwen (School of Mechanical Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China) ,  Lu Zhibin (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Lu Zhibin (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  He Wenhao (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  He Wenhao (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhang Guangan (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Zhang Guangan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 205  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた機械的および電子的特性を有する新しいタイプの二次元材料として,ボロフェンはその界面トライボロジー挙動に関する議論に値する。Al基板に付着したハニカムボロフェン/グラフェンヘテロ構造のトライボロジー特性を研究し,このヘテロ構造が滑りプロセス中に超低摩擦を示すことを見出した。定量分析を用いて,界面での電荷流がこのヘテロ構造の層間滑りを妨げることが分かった。さらに,このヘテロ構造はAl(111)表面上に成長したハニカムボロフェンの実験的調製と組み合わせることができ,この新規ヘテロ構造の超低摩擦を実験的に実現するためのフィージビリティ解析と指針を提供した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  界面 ,  基板 ,  *アルミニウム ,  定量分析 ,  *素子構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  トライボロジー特性 ,  トライボロジー挙動 ,  *超低摩擦 ,  *ボロフェン ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘテロ接合 ,  ボロフェン ,  超低摩擦 ,  第一原理

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低摩擦 ,  ヘテロ構造 ,  アルミニウム ,  グラフェン ,  ヘテロ接合