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J-GLOBAL ID：202202258792577854   整理番号：22A1162770

pH-普遍的水素発生電極触媒のためのNドーピング誘起格子歪多孔性PdIrビメタレン【JST・京大機械翻訳】

N-doping induced lattice-strained porous PdIr bimetallene for pH-universal hydrogen evolution electrocatalysis

著者 (9件)： Mao Qiqi (State Key Laboratory Breeding Base of Green-Chemical Synthesis Technology, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, P. R. China. [e-mail]) ,  Deng Kai ,  Wang Wenxin ,  Wang Peng ,  Xu You ,  Wang Ziqiang ,  Li Xiaonian ,  Wang Liang ,  Wang Hongjing
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 10  号： 15  ページ： 8364-8370  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高湾曲,超薄および多孔性構造特徴を有する多孔質Pdベース金属レンは,水素発生反応(HER)のための有望な候補である,そして,構造設計および成分改質は,その性能を効果的に強化することができた。ここでは,Nドーピングによる多孔性PdIrバイメタルのHER性能を高めるための強力なアプローチを示し,それは電子構造を効果的に調節し,設計したNドープ多孔性PdIrバイメタル(N-PdIrバイメタル)の歪効果を誘起する。多孔性N-PdIrバイメタルは,優れた全pHHER活性および安定性を示した。10mAcm-2のカソード電流密度を生成するために,多孔性N-PdIrバイメタルの必要な過電圧は,0.5M H_2SO_4,1M KOHおよび1Mリン酸塩緩衝溶液(PBS)中でそれぞれ26,34および59mVであり,市販のPt/Cのそれらより優れていた。提案したNドーピング法は,HERを超えて,金属レン電極触媒性能を高めるための非常に強力な戦略である。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *格子歪 ,  電子構造 ,  白金 ,  *パラジウム ,  バイメタル ,  過電圧 ,  リン酸塩 ,  *ドーピング ,  電流密度 ,  構造設計 ,  *電極触媒 ,  水素発生反応 ,  カソード
準シソーラス用語： *水素発生 ,  多孔構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 触媒の調製  (CB06110P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： pH ,  水素発生 ,  電極触媒 ,  ドーピング ,  誘起 ,  格子歪 ,  多孔性