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J-GLOBAL ID：202202258947344865   整理番号：22A1099271

TaIrX(X=Geおよびsn)の電子,機械,振動および光学特性:DFTアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Electronic, mechanical, vibrational and optical properties of TaIrX (X = Ge and sn): a DFT approach

著者 (2件)： Babalola M. I. (Department of Physics, University of Benin, Benin, Nigeria) ,  Iyorzor B. E. (Department of Physics, University of Benin, Benin, Nigeria)
資料名： Molecular Physics  (Molecular Physics)
巻： 120  号： 4  ページ： e1995062  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0336A  ISSN： 0026-8976  CODEN： MOPHAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算では,18価電子半ホイスラー合金TaIrX(X=GeとSn)の構造,電子,機械的,熱力学的,光学的性質および格子動力学を調べた。結果は,2つの合金が価電子バンド最大値でフラットバンドを有する半導体性を有し,p型ドーピングに好都合であることを明らかにした。また,それらはフォノン-フォノン散乱で動的に安定である。TaIrX(X=GeとSn)は機械的に安定で延性である。これはB/G比が1.75の臨界比より高いためである。実および誘電関数,吸収係数,屈折率および電子エネルギー損失のような光学的性質を調べた。TaIrGeとTaIrSnの誘電率はそれぞれ16.6と16.9であった。TaIrGeとTaIrSnの屈折率はそれぞれ4.08と4.11であった。2つの合金の最大反射率は,TaIrGe(TaIrSn)に対して13.5eV(10.6eV)で59.2%(57.6%)であった。TaIrX(X=GeとSn)のDebye温度と平均音速も調べた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Debye温度 ,  延性 ,  音速 ,  屈折率 ,  *光学的性質 ,  合金 ,  半導体 ,  フォノン ,  誘電率 ,  計算 ,  価電子バンド ,  誘電関数 ,  価電子 ,  ホイスラー合金
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  第一原理計算 ,  半ホイスラー合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半ホイスラー ,  光学特性 ,  第一原理計算 ,  格子力学 ,  屈折率

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sn ,  電子 ,  光学特性 ,  DFT