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J-GLOBAL ID：202202258981177508   整理番号：22A0200820

次世代パワー半導体の最新動向と関連技術の新展開[実装・パッケージ]パワー半導体のスイッチング時に発生する電磁ノイズ対策技術と今後の展開

著者 (1件)： 和田圭二 (東京都大)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 70  号： 1  ページ： 40-45  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・SiCやGaNパワーデバイスの実装の観点から,電磁ノイズに着目したスイッチング特性と実装技術について解説。
・パワースイッチングデバイスは小型化,高性能化が望まれており,スイッチング速度の高速化に伴って,電磁ノイズの増大が発生。
・SiC-MOSFETの回路と実装の検討から,デバイスの特性に加えて実装により発生する寄生要素も考慮する必要が存在と指摘。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *半導体 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  スイッチング ,  MOSFET ,  雑音 ,  *電磁波 ,  実装 ,  システム設計
準シソーラス用語： 電磁ノイズ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 次世代 ,  パワー半導体 ,  最新動向 ,  展開 ,  実装 ,  パッケージ ,  スイッチング ,  電磁ノイズ ,  対策