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J-GLOBAL ID：202202259258876282   整理番号：22A0388851

N層シリセン構造におけるプラズモンモード【JST・京大機械翻訳】

Plasmon modes in N-layer silicene structures

著者 (2件)： Men Nguyen Van (An Giang University-VNU HCM, 18-Ung Van Khiem Street, Long Xuyen, An Giang, Vietnam) ,  Men Nguyen Van (Vietnam National University, Ho Chi Minh City, Vietnam)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 34  号： 8  ページ： 085301 (13pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム位相近似内のスピン-軌道結合を考慮して,面外電場の適用下で,N,6,平行単層シリセン(SLS)から成るN層シリセン系のプラズモン特性を調べた。数値計算は,1つの位相内光学(Op)と(N-1)位相外音響(Ac)モードを含むN非減衰プラズモンモードが,主に系の単一粒子励起領域の外で継続することを示した。層数が増加するにつれ,プラズモン集団励起の周波数が増加し,SLSよりも大きくなり,高周波数モードに対してより顕著になる。Op(Ac)プラズモンモード(s)はバンドギャップの増加と共に顕著に減少し,層の数に弱く依存する。系の相転移がプラズモン特性に弱く影響し,スピン-軌道結合に起因するバンドギャップが外部電場に起因すると等しく,多層シリセンにおけるプラズモン集団励起とそれらの広がり関数が多層ギャップレスグラフェン構造の場合と同様に挙動することを観測した。著者らの調査は,システムのプラズモン曲線が分離が増加するにつれてSLSにおけるそれに向かって移動し,この因子の影響はシステムの多数の層によって上昇できることを示した。最後に,シリセン層間の不均衡キャリア密度が層数に依存してプラズモン周波数を著しく低下させることを見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ランダム位相近似 ,  数値計算 ,  相転移 ,  *プラズモン ,  励起 ,  音響 ,  HF【周波数】 ,  位相 ,  キャリア密度 ,  集団励起 ,  多層 ,  単一層 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 外部電場 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリセン ,  プラズモンモード