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J-GLOBAL ID:202202259349686305   整理番号:22A0974580

p型WSe_2/n型CdSナノリボンヘテロ接合に基づく導波路集積二次元発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

A Waveguide-Integrated Two-Dimensional Light-Emitting Diode Based on p-Type WSe2/n-Type CdS Nanoribbon Heterojunction
著者 (19件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 4371-4378  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)はナノスケール光源を構築するための二次元(2D)ビルディングブロックとして浮上している。今日まで,TMDベースの発光素子(LED)の幅広いアレイが成功裏に実証されている。しかし,それらの原子的に薄くて平面的な性質は,効果的な光ルーティング/閉じ込めのために追加の導波路/マイクロ共振器を必要とする。この意味で,機能的ヘテロ接合を形成するための電子的に活性なフォトニックナノ構造とTMDの統合は,減少したフットプリントとより高い統合容量を有する2D光電子チップにとって極めて重要である。ここでは,p型単層(ML)タングステンジセレニド(WSe_2)とn型硫化カドミウム(CdS)ナノリボン(NR)ヘテロ接合ダイオードに基づく室温導波路集積発光素子を報告する。ハイブリッドLEDは順方向バイアス下で明確な整流を示し,ML WSe_2中の励起子共鳴から1.65eVで顕著なエレクトロルミネセンス(EL)を与えた。駆動電流に対する積分EL強度は,高電流レベルで超線形プロファイルを示し,間隔ley散乱によるキャリア注入を容易にした。CdS NR導波路を活用することにより,WSe_2 ELは,効率的に結合され,さらに,潜在的な光相互接続機能のために経路付けできる。著者らの結果は,TMDベースのオプトエレクトロニック回路用のデュアルロールモジュールとして導波路LEDを明らかにした。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体の結晶成長  ,  塩 

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