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J-GLOBAL ID：202202259384138975   整理番号：22A0578181

バナジウム金属,DFT計算により埋め込まれたN_4部分グラフェン上のヒドラジンからの水素発生【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen generation from hydrazine on N4 moieties graphene embedded by vanadium metal, DFT calculation

著者 (2件)： Kuecuek H. (Gazi University, Department of Physics, Emniyet Mahallesi, 06500 Teknikokullar/Ankara, Turkey) ,  Akca A. (Aksaray University, Department of Physics, Bahce Saray, 68000 Merkez/Aksaray, Turkey)
資料名： Computational & Theoretical Chemistry  (Computational & Theoretical Chemistry)
巻： 1208  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2300A  ISSN： 2210-271X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,グラフェンに対するVN4の触媒効果を,Grimmeの方法におけるDFT-D3を用いた密度汎関数理論(DFT)計算によるヒドラジン(N_2H_4)の分解に対して研究した。吸着エネルギー,Bader電荷移動,電荷密度差,および部分状態密度を調べた。ヒドラジン分解を2つの異なる方法で調べた。N_2H_4→NH_2+NH_2反応のためのNN結合開裂とN_2H_4→N_2H_3+HのNH結合開裂は,水素生産を生成する。著者らの結果によれば,ヒドラジンのgauche配座異性体は改質グラフェン表面上で最も安定な形成である。ヒドラジン分子の表面との相互作用は,V不純物を添加することによる化学吸着である。V埋込表面に対するNN結合分裂はNH結合開裂のそれよりも低い活性化エネルギーを有した。高性能グラフェン様触媒でのヒドラジンからの水素発生を研究するのは有望である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  活性化エネルギー ,  相互作用 ,  電荷移動 ,  不純物 ,  *バナジウム ,  *計算 ,  電荷分布 ,  開裂反応 ,  *ヒドラジン ,  *密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 触媒作用 ,  電荷密度 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヒドラジン分解 ,  水素発生 ,  単一原子触媒反応 ,  グラフェン様触媒反応 ,  グラフェン中の遷移金属-N_4部分

分類 (4件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  脂肪族ヒドロキシルアミン・ヒドラジン及びその他の脂肪族多窒素直結化合物  (CF03080W)

タイトルに関連する用語 (5件)： バナジウム ,  DFT計算 ,  グラフェン ,  ヒドラジン ,  水素発生