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J-GLOBAL ID:202202259442547047   整理番号:22A0969869

[数式:原文を参照]修飾有効範囲解析による低エネルギー電子弾性散乱【JST・京大機械翻訳】

Low-energy electron elastic scattering by [Formula : see text]-modified effective range analysis
著者 (1件):
資料名:
巻: 76  号:ページ: 55  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0117B  ISSN: 1434-6060  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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六フッ化硫黄([数式:原文を参照])上の電子弾性散乱の断面積を,修正有効範囲理論(MERT)に対する半解析的手法を用いて超低エネルギー(1eV以下)で解析した。現在利用可能な実験的弾性断面積は,エネルギー範囲0.2~1eV,すなわち弾性と電子付着チャネルのカップリングが比較的低い場合,この理論的アプローチの枠内で互いに矛盾しないことを示した。MERT分析はまた,約0.5eVのp波におけるRamsauer-Townsend効果の存在を示した。電子付着が重要な役割を果たす0.2eV以下のエネルギーでの断面積を記述するために,MERTを単純な結合モデル(SCM)と組み合わせた。ゼロエネルギーに向けて外挿した部分波位相シフトは仮想状態散乱を示唆した。MERTとSCM結果間の比較は,近ゼロエネルギーでのチャネル結合効果の重要性の推定を可能にする。グラフは,グラフィCopyright The Author(s), under exclusive licence to EDP Sciences, SIF and Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電子と分子の衝突・散乱 

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