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J-GLOBAL ID：202202259562265160   整理番号：22A0727165

振動和周波数発生で調べたPtの原子層蒸着中の表面化学【JST・京大機械翻訳】

Surface Chemistry during Atomic Layer Deposition of Pt Studied with Vibrational Sum-Frequency Generation

著者 (3件)： Vandalon V. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Mackus A.J.M. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Kessels W.M.M. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 126  号： 5  ページ： 2463-2474  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)による貴金属の成長の詳細な理解は,触媒およびナノエレクトロニクスにおけるこれらの材料の種々の応用にとって重要である。反応物質としてMeCpPtMe_3とO_2ガスを用いたPt ALDプロセスは,一般的に貴金属のALDプロセスのモデル系として役立つ。このプロセスの表面化学をin situ振動広帯域和周波数発生(BB-SFG)分光法で調べ,結果を反応機構の文献概要の文脈に置いた。BB-SFG実験は,250°Cでの前駆体化学吸着後のPt表面上のCH_3基の存在に対する直接的な証拠を提供した。C=C含有錯体(例えばCp種の形)の存在および前駆体半サイクル中の表面種の部分脱水素に対する強い証拠を見出した。前駆体半サイクルの反応速度を250°Cで追跡し,C=C被覆率がCH_3飽和前に飽和することを示した。この複雑な挙動は多重表面反応の競合を示し,反応機構の温度依存性に反映された。CH_3飽和被覆率は温度と共に著しく低下したが,C=C被覆率は80から300°Cまでの温度でPt表面上の前駆体化学吸着後も一定であった。これらのSFG結果はPt ALDプロセスのより良い理解をもたらし,BB-SFGコミュニティの研究の有望な分野として薄膜成長中の表面化学を強調した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  反応速度 ,  貴金属 ,  *白金 ,  脱水素 ,  表面反応 ,  温度依存性 ,  多重化 ,  反応機構 ,  前駆体 ,  薄膜成長 ,  広帯域 ,  *界面化学 ,  *和周波数発生
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 和周波数発生 ,  Pt ,  原子層蒸着 ,  表面化学