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J-GLOBAL ID：202202259620954939   整理番号：22A0481285

柔軟なGaN薄膜におけるピエゾトロニクスとピエゾフォトトロニクス効果の温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Temperature dependence of the piezotronic and piezophototronic effects in flexible GaN thin films

著者 (3件)： Mallem Siva Pratap Reddy (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, South Korea) ,  Shim Jaesool (School of Mechanical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, South Korea) ,  Lee Jung-Hee (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, South Korea)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 92  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極低温で動作したフレキシブル素子は,熱イメージングや赤外および核粒子検出器におけるセンサのような重要な応用に必要である。したがって,本研究では,ピエゾトロニクスとピエゾフォトトロニクス効果を調べるために,0.0~0.3%の歪の下で,225Kから325KまでのフレキシブルGaN薄膜について,包括的な温度依存性を行った。GaN薄膜デバイスは適用した温度に強く依存し,ピエゾトロニクス効果は低チャンバ温度で0.3%の印加歪下で360%以上増加した。この型の挙動は,界面/表面の本質的な圧電電荷の増加に起因し,これはGaN薄膜中の還元電荷キャリアのより少ない遮蔽効果に起因する。この挙動を支持するために,著者らは,種々の歪の下で種々の温度でのGaN薄膜におけるピエゾフォトトロニクス効果を研究する。研究結果は,ピエゾトロニクスとピエゾ-フォトニック効果の詳細な理解を提供し,人間-機械インタフェイス,健康モニタリング,人工知能,および外科的ロボット操作を含む,様々な分野でのデバイス応用への道を開いた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  赤外線 ,  電荷 ,  *薄膜 ,  ロボット ,  圧電気 ,  *温度依存性 ,  画像処理 ,  人工知能 ,  極低温 ,  *窒化ガリウム ,  マンマシンインタフェイス
準シソーラス用語： チャンバ ,  遮蔽効果 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フレキシブルGaN ,  PET ,  ピエゾトロニクス効果 ,  スクリーニング効果 ,  ピエゾフォトトロニクス効果

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  薄膜 ,  温度依存性