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J-GLOBAL ID：202202259628281642   整理番号：22A0983535

2D半導体ナノディスクにおける励起子エミッタの決定論的およびスケーラブルな生成【JST・京大機械翻訳】

Deterministic and Scalable Generation of Exciton Emitters in 2D Semiconductor Nanodisks

著者 (16件)： Feng Shun (Shaanxi Institute of Flexible Electronics (SIFE), Northwestern Polytechnical University (NPU), 127 West Youyi Road, Xi’an, 710072, China) ,  Feng Shun (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Feng Shun (Institute of Photonics and Quantum Sciences, SUPA, Heriot-Watt University, Edinburgh, EH14 4AS, UK) ,  Zou Chenji (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Cong Chunxiao (State Key Laboratory of ASIC & System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Shang Jingzhi (Shaanxi Institute of Flexible Electronics (SIFE), Northwestern Polytechnical University (NPU), 127 West Youyi Road, Xi’an, 710072, China) ,  Zhang Jing (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Chen Yu (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Wu Lishu (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Zhang Hongbo (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Huang Zumeng (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Gao Weibo (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Zhang Baile (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Huang Wei (Shaanxi Institute of Flexible Electronics (SIFE), Northwestern Polytechnical University (NPU), 127 West Youyi Road, Xi’an, 710072, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM) Nanjing Tech University (NanjingTech) Nanjing, Beijing, 211800, China) ,  Yu Ting (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 10  号： 6  ページ： e2102702  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の極低温測定では,多様な量子エミッタによる狭い光ルミネセンス(PL)ピークが,正確な光電子応用を妨げる単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)のランダム位置で見出された。したがって,決定論的空間およびスペクトル制御によって,これらの局在化励起子放出を真に調節することは非常に重要である。ここでは,このような望ましい発光を単層WS_2ナノディスクで主に実証した。サイズ依存性PL研究は,4.2Kで,広い欠陥バンド発光からスペクトル的に孤立した狭いピーク(線幅≒サブnm)のセットへの明確な発展を示し,それは,ディスク直径の収縮を伴うエッジ欠陥の優勢な効果と関連し,束縛励起子の狭い放出エネルギー範囲を提供した。ディスク直径が300nmに減少すると,エミッタピークの80%以上が610と616nmの間に位置し,これらの光子エミッタの発光波長の有効な制御を検証した。さらに,この戦略は数百μmのフレークに基づくスケーラブルWS_2ナノディスクアレイを調製するために拡張され,WSe_2ナノディスクのサイズ依存性の狭い発光が証明された。本研究は,有望なTMDベースオプトエレクトロニクス応用に向けて局在化励起子エミッタを生成する欠陥工学戦略を開発した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *円板 ,  光子 ,  発光 ,  *半導体 ,  光ルミネセンス ,  *励起子 ,  波長 ,  依存性 ,  スペクトル ,  極低温 ,  *記憶媒体 ,  *二次元 ,  *ナノ構造 ,  光電子
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  線幅 ,  *ナノディスク ,  束縛励起子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 欠陥束縛励起子 ,  横方向サイズ閉込め ,  光ルミネセンス ,  光子エミッタ ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2D ,  ナノディスク ,  励起子 ,  エミッタ