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J-GLOBAL ID：202202259640313852   整理番号：22A0974683

高性能カーボンナノチューブベース過渡相補エレクトロニクス【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Carbon Nanotube-Based Transient Complementary Electronics

著者 (11件)： Xia Fan (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Xia Fan (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, China) ,  Xia Tian (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Xia Tian (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, China) ,  Xiang Li (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Xiang Li (College of Materials and Engineering, Hunan University, China) ,  Liu Fang (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Jia Weijie (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Liang Xuelei (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Hu Youfan (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Center for Carbon-Based Electronics, and School of Electronics, Peking University, China) ,  Hu Youfan (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 10  ページ： 12515-12522  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過渡エレクトロニクスは,安定したサービス後,物理的に劣化または崩壊できる電子装置の新興のクラスであり,”グリーン”消費者エレクトロニクス,ハードウェアセキュアデバイス,医療用インプラント,その他,相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)技術が,低い静的電力消費,高いノイズ免疫,および簡単な設計レイアウトの利点のために,集積回路設計において支配的であり,また,過渡エレクトロニクスにとって,非常に好ましい。しかし,相補的過渡エレクトロニクスの性能は,過渡材料の閉込め選択と互換性のある製作戦略によって厳しく制限される。ここでは,信頼できる静電ドーピング法によるカーボンナノチューブ薄膜に基づく高性能過渡相補エレクトロニクスの実現について報告する。2Vの低い動作電圧の下で,ポリ-(ビニルアルコール)で作られた1.5μm厚さの水溶性基板上で,p型およびn型過渡薄膜トランジスタ(TFTs)の幅正規化オン状態電流は,それぞれ4.5および4.7μA/μmに達し,そして,幅正規化相互コンダクタンスは,それぞれ2.8および3.7μS/μmに達した。一方,これらのTFTsは,良好な均一性で,108mV/dec以上の小さなサブ閾値スイングと106以上の電流オン/オフ比を示した。基本回路部品として,過渡CMOSインバータを24の電圧利得と67.4%の高い雑音免疫で実証した。最後に,活性成分の分解と機能システムの崩壊を,それぞれ10と5時間後に,非追跡可能残留で連続的にモニターした。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  電流 ,  薄膜 ,  半導体 ,  互換性 ,  酸化物 ,  電力消費 ,  薄膜トランジスタ ,  ドーピング ,  *電子技術 ,  電子装置 ,  相互コンダクタンス ,  正規化 ,  *カーボンナノチューブ ,  CMOS

著者キーワード (5件)： カーボンナノチューブ ,  過渡現象 ,  静電ドーピング ,  CMOS ,  高性能

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  カーボンナノチューブ ,  エレクトロニクス