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J-GLOBAL ID：202202259737674119   整理番号：22A0940452

透明導電膜スパッタ成膜プロセスの基礎

Sputtering processes to deposit various transparent conductive oxide films

著者 (2件)： 重里有三 (青山学院大学 大学院理工学研究科) ,  岡伸人 (近畿大学 産業理工学部)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 91  号： 3  ページ： 160-163(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化インジウム(In₂O₃)系,酸化亜鉛(ZnO)系,酸化スズ(SnO₂)系,酸化チタン(TiO₂)系などの酸化物系透明導電膜(TCO膜)はさまざまな平面型表示素子や光・エレクトロニクスデバイスに幅広く応用されている.高性能なTCO成膜のためには結晶構造・結晶性や化学量論組成比の精密制御が必要不可欠である.本稿では筆者らが取り組んできたさまざまな工夫をした直流スパッタ成膜プロセスに関して解説する.金属ターゲットを用いた反応性直流スパッタプロセスにおいて,直流放電のインピーダンスやプラズマ発光強度をin-situでモニタし,その値を高速でフィードバックすることで酸素流量をPID制御すれば,作製する酸化物薄膜の化学量論組成比を連続的に精密制御することができる.この手法により反応性スパッタによる高性能TCOの成膜方法を確立するとともに,幅広く電気特性や光学特性が系統的に異なる膜を作製し,TCOの物性に関する研究に役立てることができる.(著者抄録)

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  酸化インジウム ,  酸化亜鉛 ,  酸化スズ ,  酸化チタン ,  *結晶構造 ,  結晶度 ,  化学組成 ,  フィードバック制御 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  *電気特性 ,  光学的性質
準シソーラス用語： PID制御 ,  TCO【酸化物】 ,  プラズマ発光 ,  *化学量論組成 ,  *結晶性 ,  光学特性 ,  *直流スパッタ法

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  スパッタリング  (BK16110U)

引用文献 (19件)：

• 1) 日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会編: 透明導電膜の技術改訂3版 (オーム社, 2014).
• 2) Y. Furubayashi, T. Hitosugi, Y. Yamamoto, K. Inaba, G. Kinoda, Y. Hirose, T. Shimada, and T. Hasegawa: Appl. Phys. Lett. 86, 252101 (2005).
• 3) Y. Sato, A. Uebayashi, N. Ito, T. Kamiyama, and Y. Shigesato: J. Vac. Sci. Technol. A 26, 903 (2008).
• 4) Y. Sato, H. Akizuki, T. Kamiyama, and Y. Shigesato: Thin Solid Films 516, 5758 (2008).
• 5) Y. Sato, Y. Sanno, C. Tasaki, N. Oka, T. Kamiyama, and Y. Shigesato: J. Vac. Sci. Technol. A 28, 851 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： 透明導電膜 ,  スパッタ成膜 ,  プロセス ,  基礎