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J-GLOBAL ID：202202259781647940   整理番号：22A0964398

フローティングアドミタンス行列法を用いた4端子MOSFET増幅器のユニークな解析技術【JST・京大機械翻訳】

Unique Analysis Technique for 4-Terminal MOSFET Amplifiers using Floating Admittance Matrix Approach

著者 (3件)： Roy Sanjay Kumar (TATA Steel Ltd,OMQ Division,India) ,  Sharma K K (Electronics & Communication Engineering, Lovely Professional University,Phagwara,Punjab,India) ,  Singh B P (Electronics &Communication Engineering, Netaji Subhas University of Technology,New Delhi,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ICONAT  ページ： 1-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電子デバイス(MOSFET)と回路を解析するエレガントな技術を示した。従来の解析法は,小信号等価回路を含み,KCL,KVL,Thevenin,Norton定理などを回路の適合性に応じて使用するので複雑である。提案技法は,電子機器のFAM(MOSFET/BJT)が知られているならば,検査によって任意の回路の浮遊アドミタンス行列(FAM)を書き込むのを助ける。行列分割技法は,提案技法を用いて,広範囲なネットワークに対して非常に良く集合する。ゼロに等しい任意の列またはカラムの全ての要素の和特性は,解析または非常に最初の方程式の再観察のためにさらに進行することを保証した。これは多くの時間とエネルギーを節約する。提案した浮遊アドミタンス行列技術は,いかなる参照端末も仮定しない。この理由で,浮遊アドミタンス行列アプローチと呼ばれる。ここで提示したFAM法は,エレクトロニクスの知識がほとんどない任意の物体が任意の回路を解析でき,その伝達関数の全てのタイプを導き,行列の操縦を知らせる。FAM法を用いた数学的モデリングは,設計者が,解析の任意の段階で,その設計を快適に調整することを可能にする。これらのステートメントは,提案したプロセスの採用の有力な理由を提供し,その利点を実証した。多くの書籍は,MOSFET増幅器の解析の2つの方法を示唆する。1つのハイブリッドモデルと他のTモデル。提案した技術は,MOSFET増幅器のすべてのタイプに対して独特である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *増幅器 ,  伝達関数 ,  等価回路 ,  ネットワーク ,  *MOSFET ,  浮遊 ,  適応性 ,  *Y行列 ,  端末装置 ,  電子技術 ,  電子装置
準シソーラス用語： 電子素子 ,  ハイブリッドモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： アドミタンス行列 ,  MOSFET ,  増幅器 ,  解析