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J-GLOBAL ID：202202259893214384   整理番号：22A0478351

ハロゲン化第一銅におけるバンドギャップ異常【JST・京大機械翻訳】

Band gap anomaly in cuprous halides

著者 (5件)： Yu Haoyang (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100193, China) ,  Cai Xuefen (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yang Yang (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100193, China) ,  Wang Zhi-Hao (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100193, China) ,  Wei Su-Huai (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100193, China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 203  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の亜鉛-ブレンドII-VIとIII-V共通カチオン系と異なり,アニオン原子数の増大に伴うバンドギャップ減少の一般的な傾向を示す,閃亜鉛鉱I-VII第一銅ハライドCuX(X=Cl,Br,I)は,ほぼ等しい直接バンドギャップを持つ。ここでは,第一原理計算を用いて,Cuハライドにおけるこのバンドギャップ異常は,X_pより上のCu 3dのユニークなエネルギー準位秩序に起因し,価電子帯最大(VBM)を,主にCu 3d軌道から誘導される反結合状態であり,従って,アニオン原子数に関してバンドギャップの比較的小さな変動を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  *銅 ,  ハロゲン化物 ,  *ハロゲン化 ,  閃亜鉛鉱 ,  アニオン ,  カチオン ,  価電子バンド ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  原子数 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： バンドギャップ ,  ハロゲン化第一銅

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ハロゲン化 ,  銅 ,  バンドギャップ