文献

J-GLOBAL ID：202202259940136897   整理番号：22A0706626

明るいルミネセンスのための二層WSe_2におけるエンジニアリング励起子再結合経路【JST・京大機械翻訳】

Engineering Exciton Recombination Pathways in Bilayer WSe₂ for Bright Luminescence

著者 (11件)： Uddin Shiekh Zia (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, California, United States) ,  Uddin Shiekh Zia (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Higashitarumizu Naoki (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, California, United States) ,  Higashitarumizu Naoki (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Kim Hyungjin (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, California, United States) ,  Kim Hyungjin (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Rabani Eran (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Rabani Eran (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, California, United States) ,  Rabani Eran (The Raymond and Beverly Sackler Center of Computational Molecular and Materials Science, Tel Aviv University, Israel) ,  Javey Ali (Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, California, United States) ,  Javey Ali (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 16  号： 1  ページ： 1339-1345  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対ドープ単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)における励起子消滅(EEA)は,歪みによるバンド構造を都合良く変えることにより抑制できる。光ルミネセンス(PL)量子収率(QY)は,全ての生成速度で歪と単調に近づいた。対照的に,タングステンジセレニド(WSe_2)の二分子層(2L)では,低生成速度でのPL QYの劇的な増強を伴う高い生成速度でのEEA速度の非単調変化を観測した。EEAは0%と1%の歪で抑制されたが,中間株で活性化した。単軸引張歪下の2L WSe_2における間接遷移から直接遷移までの観察を説明した。歪と静電対ドーピングによって,著者らは,本来,間接半導体である2L WSe_2中の全生成速度で~50%PL QYを達成した。2L WSe_2からの過渡エレクトロルミネセンスを,歪を印加しない場合よりも約50倍高い歪を適用することにより,広い範囲のキャリア密度に対して~1.5%の内部量子効率で実証した。この結果は,間接および直接励起子が同時に存在し,間接直接バンドギャップ遷移を超えたTMDC多層における励起子工学を促進する完全な光電子光物理学を明らかにした。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *再結合 ,  半導体 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  *ルミネセンス ,  *励起子 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  バンドギャップ ,  光電子
準シソーラス用語： 生成速度 ,  引張歪 ,  間接遷移 ,  直接遷移 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二層WSe_2 ,  励起子-励起子消滅 ,  量子収量 ,  エレクトロルミネセンス ,  歪

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ルミネセンス ,  二層 ,  エンジニアリング ,  経路