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J-GLOBAL ID：202202259995256575   整理番号：22A0973649

シリコーンゴムオリゴマの電荷輸送特性のマルチスケール研究【JST・京大機械翻訳】

Multiscale Study of the Charge Transport Properties of Silicone Rubber Oligomers

著者 (5件)： Guo Guangzhi (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, P. R. China) ,  Zhang Juning (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, P. R. China) ,  Han Jiarui (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, P. R. China) ,  Deng Junbo (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, P. R. China) ,  Zhang Guanjun (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, P. R. China)
資料名： Journal of Physical Chemistry A  (Journal of Physical Chemistry A)
巻： 126  号： 8  ページ： 1369-1377  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0334B  ISSN： 1089-5639  CODEN： JPCAFH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマー誘電体は電子および電気機器の絶縁として広く用いられている。高電場下の高分子誘電体における電荷輸送プロセスは,電気的エージングと装置絶縁の絶縁破壊をもたらすと考えられるが,かなりの注目を集めている。局所電荷移動モデルに基づいて,典型的なシリコーンゴム(SR)絶縁材料の電荷輸送機構をマルチスケール法によって研究した。標準条件下でのシリコーンゴムオリゴマのモデルを古典的分子動力学により発生させた。SRオリゴマのフロンティア分子軌道と投影状態密度を量子化学法で得た。分子動力学モデルにおける隣接SR分子間の電子および正孔移動過程に対する電子結合,再組織化エネルギーおよび自由エネルギー差を計算した。SRにおける正孔移動と電子移動は,それらの高い分子内再組織化エネルギーと低い分子間電子カップリングのため,分子間ホッピング機構に従う。再組織化エネルギーに対する通常のモード解析の結果は,高温近似が室温以上のSRでの電荷輸送に対して保持することを示した。SRにおける電荷移動軌跡と電荷移動を,動的モンテカルロシミュレーションに基づいてシミュレートした。室温での正孔および電子移動度は,それぞれ7.24×10-11および2.76×10-9cm2/Vsであり,これは実験データと一致した。SRにおける電子輸送と正孔輸送の両方が熱活性化特性を示し,対応する活性化エネルギーはそれぞれ358と314meVであった。本研究は,SR高分子誘電体における電荷輸送プロセスを記述する物理モデルを示唆した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  電子 ,  分子 ,  誘電体 ,  *シリコーンゴム ,  近似法 ,  再編成 ,  *オリゴマ ,  モデル ,  ホッピング伝導 ,  分子動力学 ,  電子移動
準シソーラス用語： *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷 ,  輸送特性 ,  マルチスケール ,  研究