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J-GLOBAL ID：202202260317453800   整理番号：22A0316233

CuO NPを含むカルバゾールドナーを含む高分子に基づく不揮発性三成分メムリスタ【JST・京大機械翻訳】

Non-volatile ternary memristors based on a polymer containing a carbazole donor with CuO NPs embedded

著者 (8件)： Dou Feng (School of Chemical Engineering and Materials, Heilongjiang University, Harbin 150080, P. R. China. [e-mail]) ,  Zhao Xiaofeng ,  Zhang Wanying ,  Zhang Yingna ,  Gao Meng ,  Chen Jiangshan ,  Wang Shuhong ,  Wang Cheng
資料名： New Journal of Chemistry  (New Journal of Chemistry)
巻： 46  号： 2  ページ： 704-713  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイナリメモリの限られた容量は将来の情報蓄積の要求を満たすことができない。したがって,マルチレベルメモリは広く研究されている。ここでは,Suzuki交差カップリング反応を用いてドナー-アクセプタ型高分子ポリ[2,7-9-(ヘプタデカン-9-イル)-9H-カルバゾール-alt-7H-ベンゾイミダゾ[2,1-a]ベンゾ[de]イソキノリン-7-オン(PCz-BMBI)を合成し,特性化した。PCz-BMBIとPCz-BMBI:CuO NP活性層に基づく非揮発性三元メモリ挙動を有する有機抵抗ランダムアクセスメモリ(ORRAM)デバイスをスピンコーティング法を用いて作製した。デバイスのI-V特性を研究し,素子のメモリ性能に及ぼすCuOナノ粒子(NP)の埋込み比の影響を検討した。その結果,CuO NPを埋め込んだ全てのデバイスのスイッチング比は改善され,それらの最初の閾値電圧は低下した。さらに,7wt%CuO NPの埋込み比で作製したデバイスは,ON_2/ON1/OFF(105.3:102.3)の電流比を有する最適メモリ性能を示した。1)低閾値電圧(-0.50V/-1.60V)。本研究は,情報貯蔵の分野でのCuO NPの応用に対するマルチレベル貯蔵材料および新しいアイデアのための新しい経路を提供した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  電流 ,  *ドナー ,  電流電圧特性 ,  *高分子 ,  情報蓄積 ,  活性層 ,  *酸化第二銅 ,  スピンコーティング ,  Suzuki反応 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  マルチレベル ,  ReRAM ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電池一般  (YB04010O) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： カルバゾール

タイトルに関連する用語 (5件)： CuO ,  Np ,  高分子 ,  不揮発性 ,  メムリスタ