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J-GLOBAL ID：202202260323033565   整理番号：22A1086600

光トラッピングとマニピュレーションのためのクロスダイアボロ中空ノッチナノピンセット【JST・京大機械翻訳】

Cross Diabolo Hollow Notch Nanotweezer for Optical Trapping and Manipulation

著者 (2件)： Hasan Md. Abeed (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh) ,  Zubair Ahmed (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 14  号： 2  ページ： ROMBUNNO.4819810.1-10  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモンナノピンセットは,局所表面プラズモン共鳴に起因する異常な電場勾配と磁場増強を利用してナノ粒子を操作する。独創的な銀ベースのクロスダイアボ中空ノッチプラズモンナノピンセットを提案した。中心における付加的エッジは,局所表面プラズモンホットスポットによって引き起こされる場増強を最大にした。さらに,ボトムAg膜の遮蔽効果はトラッピングターゲット近くの磁場強度を著しく増加させた。その後の磁場勾配は,従来のプラズモンピンセットと比較して,設計のトラッピング能力を著しく高める。電力消費を減らし,光トラッピング特性を著しく改善する構造設計最適化の包括的な解析を行った。提案したAg CDHNナノピンセットは,ナノ構造に対して2.66mW/μm2の最小ビーム強度および2.14nN/(W.μm-2)のトラッピング力で30nm直径のポリスチレン球をトラップできる。以前に報告されたナノピンセットと比較して,提案したナノピンセットは,トラッピング剛性の数桁の増加と電力消費の数回の減少を実証した。また,種々の直径のポリスチレン球を捕捉する能力を評価した。提案した設計と解析はナノ粒子操作とナノ構造作製のための効果的なナノピンセットの実現に有益である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  プラズモン ,  銀 ,  ポリスチレン ,  剛性 ,  電力消費 ,  表面プラズモン ,  ホットスポット ,  *光トラッピング ,  ナノ構造 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： *ピンセット ,  *マニピュレーション ,  *トラッピング ,  *ナノピンセット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 計算機網  (JC03000K) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光トラッピング ,  マニピュレーション ,  中空 ,  ノッチ ,  ナノピンセット