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J-GLOBAL ID：202202260423510001   整理番号：22A0752443

バレートロン電流スイッチとしての歪変調グラフェンヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Strain-Modulated Graphene Heterostructure as a Valleytronic Current Switch

著者 (4件)： Chauwin Maverick (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Chauwin Maverick (Department of Physics, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau, France) ,  Siu Zhuo Bin (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Jalil Mansoor Bin Abdul (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 17  号： 2  ページ： 024035  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪工学は,Kleinトンネリングから生じるグラフェンベースデバイスにおけるオフ状態コンダクタンスを抑制するための有望なアプローチである。本研究では,歪下の単位格子の歪み,次の最近接結合に対する歪の影響,および歪テンソルの二次寄与のような,これまで無視されてきた歪誘起効果を組み込んだ歪グラフェンに対する包括的な強束縛ハミルトニアンを導いた。Dirac点に関する対応する低エネルギー有効ハミルトニアンを導出し,ハミルトニアンにおける付加的項の観点から歪と非歪グラフェンの間の界面における境界条件を再定式化した。これらの境界条件を適用することにより,2つの非歪リード間に挟まれた中央セグメントから成る歪グラフェンヘテロ構造を横切る伝送を評価した。伝送電流の変調は,印加歪の大きさと方向,ならびにゲート電圧の適用によって影響を受ける。現実的なパラメータ値に基づいて,高電流-谷分極と同様に[数式:原文を参照]までの高いオンオフ比を歪変調デバイスで達成できると予測した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハミルトニアン ,  界面 ,  バンド構造 ,  *電流 ,  分極 ,  境界条件 ,  *素子構造 ,  有効ハミルトニアン ,  格子 ,  定式化 ,  コンダクタンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 単位格子 ,  *ヘテロ構造 ,  低エネルギー ,  オンオフ比 ,  ゲート電圧 ,  Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： トロン ,  電流スイッチ ,  歪 ,  変調 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造