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J-GLOBAL ID：202202260426360267   整理番号：22A0551900

高キャリア移動度を有する二次元JanusグループIII三元カルコゲナイド単分子層化合物B_2XY,Al_2XYおよびBAlX_2(X,Y=S,Se,Te)【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional Janus group-III ternary chalcogenide monolayer compounds B₂XY, Al₂XY, and BAlX₂ (X, Y = S, Se, Te) with high carrier mobilities

著者 (2件)： Kumar Vipin (Department of Chemistry, University of Ulsan, Nam-gu, Ulsan, Republic of Korea) ,  Jung Jaehoon (Department of Chemistry, University of Ulsan, Nam-gu, Ulsan, Republic of Korea)
資料名： Bulletin of the Korean Chemical Society  (Bulletin of the Korean Chemical Society)
巻： 43  号： 1  ページ： 138-146  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0051A  ISSN： 0253-2964  CODEN： BKCSDE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元Janus基-III三元カルコゲン化物単分子層(G3TCM)半導体シリーズ,B_2XY,Al_2XY,およびBAlX_2(X,Y=S,Se,Te;X≠Y)の構造,電子,および機械的性質を調べるために,密度汎関数理論に基づく第一原理アプローチを採用した。全シリーズのJanus G3TCM化合物の有効質量,バンドギャップ,及びキャリア移動度を評価し,ナノスケール電子デバイスの成分としての実現可能性を包括的に調べた。本研究で提案した全てのG3TCM化合物は,フォノン計算と推定機械的安定性に基づいて実現可能であることを示唆した。B_2XYとAl_2XYの間接バンドギャップは,III族元素を用いてJanus型構造を構築することによりBAlX_2中の直接バンドギャップに切り替えることができる。変形ポテンシャル理論による計算で得られたキャリア移動度は,B_2SSeとBAlSe_2が,室温でそれぞれ2.02×104と2.58×105cm2V-1s-1の例外的な電子と正孔キャリア移動度を有することを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  正孔 ,  半導体 ,  フォノン ,  *単分子層 ,  計算 ,  *カルコゲン化物 ,  *二次元 ,  有効質量 ,  変形ポテンシャル ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  密度汎関数理論 ,  III族三元カルコゲン化物単分子層化合物 ,  Janus型材料

分類 (5件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリア移動度 ,  グループ ,  カルコゲナイド ,  単分子層 ,  Se ,  Te