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J-GLOBAL ID：202202260685233174   整理番号：22A1160797

遷移金属合金化III族窒化物ScAlN圧電半導体膜のハイブリッド化学蒸着の熱力学的解析【JST・京大機械翻訳】

Thermodynamic Analysis of Hybrid Chemical Vapor Deposition of Transition-Metal-Alloyed Group-III-Nitride ScAlN Piezoelectric Semiconductor Films

著者 (13件)： Moradnia Mina (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Texas, United States) ,  Moradnia Mina (Texas Center for Superconductivity at UH (TcSUH) and Advanced Manufacturing Institute (AMI), University of Houston, Texas, United States) ,  Pouladi Sara (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Texas, United States) ,  Pouladi Sara (Texas Center for Superconductivity at UH (TcSUH) and Advanced Manufacturing Institute (AMI), University of Houston, Texas, United States) ,  Chen Jie (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Texas, United States) ,  Chen Jie (Materials Science and Engineering Program, University of Houston, Texas, United States) ,  Chen Jie (Texas Center for Superconductivity at UH (TcSUH) and Advanced Manufacturing Institute (AMI), University of Houston, Texas, United States) ,  Kim Nam-In (Materials Science and Engineering Program, University of Houston, Texas, United States) ,  Kim Nam-In (Texas Center for Superconductivity at UH (TcSUH) and Advanced Manufacturing Institute (AMI), University of Houston, Texas, United States) ,  Aigbe Onosetale (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Texas, United States) ,  Ryou Jae-Hyun (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Texas, United States) ,  Ryou Jae-Hyun (Materials Science and Engineering Program, University of Houston, Texas, United States) ,  Ryou Jae-Hyun (Texas Center for Superconductivity at UH (TcSUH) and Advanced Manufacturing Institute (AMI), University of Houston, Texas, United States)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 4  ページ： 2239-2247  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,膜品質と製造可能性に関連する現在の技術における技術的課題に取り組むために,ScAlN薄膜を得るために,それぞれ,グループIII元素,遷移金属元素,および窒素の前駆体のための塩化物,元素源,および水素化物を用いたハイブリッド化学蒸着(HybCVD)を紹介する。新しい堆積技術について,前駆体と蒸気-固体反応の熱力学を調べ,種々の前駆体と堆積条件に依存する合金組成の前駆体と可制御性を評価した。AlCl_3前駆体は,CVDシステムを保護しながら,高い前駆体入力を提供するのに必要である。元素Sc源前駆体は,ScN形成のための高い前駆体入力と十分な駆動力を提供できる。膜堆積では,膜のSc組成はV/III比および成長温度の増加と共にわずかに減少したが,キャリアガス中の不活性ガスと水素の混合物比による変化は無視できる。合金中のSc組成はカチオン前駆体の混合比によって正確に制御できる。HybCVDは遷移金属合金III-N薄膜の高材料品質と低コスト製造の両方の可能性を提供し,広範囲の応用における高機能性圧電材料に対する期待される利点を最大化した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *合金 ,  *熱力学 ,  薄膜 ,  可制御性 ,  水素 ,  *スカンジウム ,  窒素 ,  *窒化物 ,  塩化物 ,  *圧電気 ,  混合比 ,  水素化物 ,  カチオン ,  *化学蒸着 ,  前駆体

分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 遷移金属合金 ,  III族 ,  窒化物 ,  圧電 ,  半導体膜 ,  化学蒸着 ,  力学的解析