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J-GLOBAL ID:202202260716468683   整理番号:22A0497613

p-Zn_1-xSb_xO/n-Si-(x=0.03,0.05)ヘテロ接合ダイオードに基づく自己駆動太陽ブラインド紫外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Self-driven solar-blind ultraviolet photodetectors based on p-Zn1-xSbxO/n-Si- (x = 0.03, 0.05) heterojunction diodes
著者 (3件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 920-933  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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p-ZnO/n-Si-ヘテロ接合に基づく紫外線光検出器を高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した。ヘテロ接合デバイスを開発するために,高純度ZnOとSbドープ(3wt%と5wt%)ZnO薄膜を高ドープn型シリコン(Si)基板上に成長させた。成長した薄膜は,n型純ZnOとn型Si基板(n-ZnO/n-Si-)とp-型SbドープZnO(Zn_0.97Sb_0.03OとZn_0.95Sb_0.05O)とn型Si基板(p-Zn_1-xSb_xO/n-Si-)との間のp-nヘテロ接合との間の等型ヘテロ接合を形成する。Raman分光法を用いた堆積膜の構造解析は高品質ZnO薄膜の成長を明らかにした。ZnOの基本Ramanモードに加えて,多重フォノン振動に関連したいくつかの異常モードも,作製したデバイスのRamanスペクトルにおいて観測された。UV-A(λ=365nm)とUV-C(λ=254nm)光の下で,0.152~1.0mW/cm2の異なる照明強度で,作製したデバイスの光伝導挙動を分析した。UV-C照明におけるn-ZnO/n-Si-,p-Zn_0.97Sb_0.03O/n-Si-およびp-Zn_0.95Sb_0.05O/n-Si-ヘテロ接合素子の平均光応答は,それぞれ45.12,52.23および58.31%であり,1mW/cm2の照明強度において,UV-A光(それぞれλ≦50.32,72.53および82.62%)で記録されたものより低いことが分かった。外部量子効率は,ZnO薄膜で3wt%から5wt%までのSbドーピング濃度の増加を伴って,14.41から78.08%まで増大することが分かったデバイス性能に関連する重要なパラメータである。作製したデバイスの応答と回復時間は1s以下であった。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 

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