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J-GLOBAL ID：202202260738011240   整理番号：22A0433635

表面形態の制御における自立N極性GaNの化学エッチング【JST・京大機械翻訳】

Chemical etching of freestanding N-polar GaN in control of the surface morphology

著者 (14件)： Chen Hui (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Han Sha (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Liu Zhenghui (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Yumin (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Yumin (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Chunyu (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Huang Zengli (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Chen Kebei (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Song Wentao (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Wang Jianfeng (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Wang Jianfeng (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Xu Gengzhao (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Xu Ke (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Xu Ke (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でH_3PO_4とNaOH溶液中で化学エッチング法で自立N極性GaN表面上で表面処理法を調べた。2種類のステップフロー構造が表面上で得られた。希釈H_3PO_4溶液によるメルリーエッチングは,ウエハのオフカット方向に向かって直線ステップ流をもたらし,一方,H_3PO_4,NaOHおよびH_3PO_4による3段階エッチングスキームの後,同軸六方晶ステップフローが形成された。これらの手順の間,H_3PO_4溶液によるエッチングは,原子ステップエッジを鋭くし,平坦なテラスを形成し,六角形ピラミッドを除去する能力を示す。反対に,NaOHエッチングは,よく定義されたテラス表面を粗くし,六角形ピラミッドを生成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  極性 ,  表面処理 ,  希釈 ,  水酸化ナトリウム ,  六方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  角錐 ,  ステップ流 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： テラス ,  *表面形態 ,  コアキシャル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  表面形態 ,  化学エッチング ,  N極性 ,  ステップフロー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面形態 ,  自立 ,  極性 ,  GaN ,  化学エッチング