文献

J-GLOBAL ID：202202260739421377   整理番号：22A0911539

効率的なインクジェット印刷ペロブスカイト量子ドット発光ダイオードに向けた普遍的な三成分溶媒インク戦略【JST・京大機械翻訳】

A Universal Ternary-Solvent-Ink Strategy toward Efficient Inkjet-Printed Perovskite Quantum Dot Light-Emitting Diodes

著者 (11件)： Wei Changting (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Su Wenming (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, China) ,  Li Jiantong (School of Electrical Engineering and Computer Science, KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE-16440, Sweden) ,  Xu Bo (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Shan Qingsong (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Wu Ye (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zhang Fengjuan (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Luo Manman (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, China) ,  Xiang Hengyang (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Cui Zheng (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, China) ,  Zeng Haibo (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 10  ページ： e2107798  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代エレクトロルミネセンス量子ドット(QD)ディスプレイに向けて,インクジェット印刷技術はパターン化量子ドット発光ダイオード(QLED)の最も有望な低コストおよび大規模製造の1つとして確信されている。高品質で安定なQDインクの開発は,この技術を実用化に向けて押し出すための重要なステップである。ここでは,セシウム鉛ハライド(CsPbX_3)ペロブスカイトQDとそれらの対応するインクジェットプリントQLEDのための普遍的な三元溶媒-インク戦略を提案した。このテーラーメイド三元ハロゲンフリー溶媒(ナフテン,n-トリデカン,及びn-ノナン)レシピを用いて,高分散性で安定なCsPbX_3 QDインクが得られ,それは二成分溶媒(ナフテンとn-トリデカン)系よりも遥かに優れた印刷性と膜形成能を示し,はるかに優れた品質のペロブスカイトQD薄膜をもたらした。その結果,インクジェットプリントグリーンペロブスカイトQLEDsにおいて,8.54%の記録ピーク外部量子効率(EQE)と43883.39cdm-2の最大輝度が達成され,これは二元溶媒システムベースデバイス(EQE=2.26%)よりも遥かに高かった。さらに,三元溶媒系は,インクジェットプリント赤色および青色ペロブスカイトQLEDならびにカドミウム(Cd)ベースQLEDにおける普遍的な適用性を示した。本研究は,効率的なインクジェットプリントQLEDのための一般的三元溶媒-QD-インクシステム,および将来における他の溶液処理電子素子を仕立てるための新しい戦略を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  薄膜 ,  *印刷 ,  輝度 ,  ハロゲン化物 ,  *インク ,  表示装置 ,  *インクジェット印刷 ,  量子効率 ,  パターン形成 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  高品質 ,  外部量子効率 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： インキ工学 ,  インクジェット印刷 ,  ペロブスカイト ,  量子ドット発光ダイオード ,  三成分溶媒インク

分類 (2件)： 印刷  (ZA05040A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： インクジェット印刷 ,  ペロブスカイト量子ドット ,  発光ダイオード ,  溶媒 ,  インク ,  戦略