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J-GLOBAL ID：202202260789760818   整理番号：22A0655675

30バンド[数式:原文を参照]モデルの不変展開とそのIII-V化合物に対するパラメータ【JST・京大機械翻訳】

Invariant expansion of the 30-band [Formula : see text] model and its parameters for III-V compounds

著者 (7件)： Gawarecki Krzysztof (Department of Theoretical Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Scharoch Pawel (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Wisniewski Michal (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Ziembicki Jakub (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Maczko Herbert S. (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Gladysiewicz Marta (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Kudrawiec Robert (Department of Semiconductor Materials Engineering, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 4  ページ： 045202  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,[数式:原文を参照]点グループに対するフルゾーン30バンド[数式:原文を参照]ハミルトニアンの使いやすい対称性不変展開を導いた。それぞれのパラメータを見出すために,III-V材料のバンド構造を最先端の密度汎関数理論(DFT)手法内で計算し,次に[数式:原文を参照]バンドを調整するためのターゲットとして用いた。試験した全ての閃亜鉛鉱III-V半導体について,DFTバンド構造と[数式:原文を参照]モデルの満足できる一致を達成した。多くのパラメータの値はこれまで知られていない。また,DFTから直接得られた運動量行列要素を用いて計算した値とフィットした[数式:原文を参照]パラメータを比較した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハミルトニアン ,  運動量 ,  バンド構造 ,  対称性 ,  半導体 ,  *閃亜鉛鉱 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 行列要素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： バンド ,  数式 ,  参照 ,  モデル ,  不変 ,  展開 ,  V化合物 ,  パラメータ