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J-GLOBAL ID:202202260808874720   整理番号:22A1027370

マグネトロンスパッタリングにより作製したNiV/B_4C多層におけるバックグラウンド圧力誘起構造及び化学変化【JST・京大機械翻訳】

Background Pressure Induced Structural and Chemical Change in NiV/B4C Multilayers Prepared by Magnetron Sputtering
著者 (11件):
資料名:
巻: 10  ページ: 837819  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7092A  ISSN: 2296-424X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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小さなd間隔を有するNiV/B_4C多層は,5から8keVの光子エネルギー領域または10から100keVの光子エネルギー領域で動作する多層モノクロメータに適している。作製中のバックグラウンド圧力の影響を調べるために,3.0nmのd間隔を有するNiV/B_4C多層を,異なるバックグラウンド圧力のマグネトロンスパッタリングにより作製した。すれすれ入射X線反射率(GIXR)と透過型電子顕微鏡(TEM)測定は,バックグラウンド圧力が高いとき,NiV/B_4C多層で起こる構造変化を示した。高バックグラウンド圧で堆積したNiV/B_4C多層の電子分散X線分光(EDX)は,勾配厚さ変化に対応する酸素の勾配分布を示唆する。NiV/B_4C多層,NiV被覆,およびB_4C被覆の詳細なX線吸収端近傍分光法(XANES)比較は,バックグラウンド圧力により誘起された化学状態変化を示した。堆積中に,酸化バナジウムがホウ素の酸化を促進すると結論した。NiV/B_4C多層の良好な性能を作製するために,バックグラウンド圧力は1×10-4Paより低い。Copyright 2022 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  X線技術 
引用文献 (43件):
  • HuangQ, MedvedevV, Van de KruijsR, YakshinA, LouisE, BijkerkF. Spectral Tailoring of Nanoscale EUV and Soft X-Ray Multilayer Optics. Appl Phys Rev (2017) 4:011104. doi: 10.1063/1.4978290
  • BarrettR, BakerR, CloetensP, MoraweC, TucoulouR, VivoA. Reflective Optics for Hard X-Ray Nanofocusing Applications at the ESRF. Synchrotron Radiat News (2016) 29:10-5. doi: 10.1080/08940886.2016.1198668
  • WindtDL. Advancements in Hard X-Ray Multilayers for X-Ray Astronomy. Opt Euv, X-ray, Gamma-ray Astron (2015) VII:960396031C. doi: 10.1117/12.2187481
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  • LiuY, HuangQ, QiR, XiaoL, ZhangZ, LiW, et al Microstructure Evolution and Hard X-Ray Reflectance of Ultrathin Ru/C Multilayer Mirrors with Different Layer Thicknesses. Mater Res Express (2021) 8:026401. doi: 10.1088/2053-1591/abdf13
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