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J-GLOBAL ID：202202261054041949   整理番号：22A0985352

オンチップ熱電発電のための反強磁性金属/強磁性金属周期多層【JST・京大機械翻訳】

Antiferromagnetic-Metal/Ferromagnetic-Metal Periodic Multilayers for On-Chip Thermoelectric Generation

著者 (14件)： Wang Y.Z. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Y.Z. (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Luo X.M. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Y. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Fang C. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhao M.K. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  He W.Q. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Yu G.Q. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Yu G.Q. (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, China) ,  Wan C.H. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wan C.H. (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, China) ,  Han X.F. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Han X.F. (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Han X.F. (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, China)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 17  号： 2  ページ： 024075  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップ熱電発電は,極めて重要であり,グリーンマイクロエレクトロニクスを実装するためのオプションとして広く注目されている。オンチップ温度センサおよび熱電発電機として使用できる[数式:原文を参照]多層における異常Nernst効果(ANE)を用いて,温度センシングおよびエネルギーハーベスティングを達成した。電圧(電力)発生係数における103%(1356%)の増加を,界面スピン-軌道結合散乱の増強により,1から7までの周期数(n)の増加により達成した。[数式:原文を参照]の幾何学的寸法を有する最適化[数式:原文を参照]試料の電圧と発電係数は,それぞれ[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]に達した。一方,Ir-Mnによって導入された交換バイアス場は,外部場なしでANE電圧と電力出力を可能にした。両方の特徴は,エネルギー効率の良いマイクロエレクトロニクスのための[数式:原文を参照]多層,特に[数式:原文を参照]システムの熱電力応用を前進させることができる。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  散乱 ,  電圧 ,  電力 ,  *熱電発電 ,  出力 ,  発電機 ,  *発電 ,  エネルギー変換 ,  *超小形回路技術 ,  外場 ,  多層 ,  マイクロエレクトロニクス
準シソーラス用語： 熱電能 ,  *オンチップ ,  エネルギーハーベスティング ,  熱電発電機 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 熱電発電,熱電子発電  (NB03080V) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： オンチップ ,  熱電発電 ,  強磁性金属 ,  周期 ,  多層