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J-GLOBAL ID：202202261143760155   整理番号：22A0649908

化学溶液堆積を用いた条件に依存するSnOおよびSnO_2薄膜形成が可能な新しいヘテロレプチックスズ(II)錯体【JST・京大機械翻訳】

Novel Heteroleptic Tin(II) Complexes Capable of Forming SnO and SnO₂ Thin Films Depending on Conditions Using Chemical Solution Deposition

著者 (16件)： Han Seong Ho (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Han Seong Ho (Department of Chemistry and Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Agbenyeke Raphael Edem (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Agbenyeke Raphael Edem (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), Republic of Korea) ,  Lee Ga Yeon (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Lee Ga Yeon (Department of Chemistry and Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), Republic of Korea) ,  Eom Taeyong (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Son Seung Uk (Department of Chemistry and Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Han Jeong Hwan (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Ryu Ji Yeon (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Department of Advanced Materials and Chemical Engineering, University of Science and Technology (UST), Republic of Korea)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 7  号： 1  ページ： 1232-1243  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnX_2(X=Cl,BrおよびI)とアミノアルコキシドおよび種々のN-アルコキシ官能化カルボキサミド配位子との塩メタセシス反応により,新しいヘテロレプティック錯体シリーズを合成した。錯体,[ClSn-(dmamp)]_2(1),[BrSn-(dmamp)]_2(2),および[ISn-(dmamp)]_2(3)を,SnX_2の塩メタセシス反応から,1当量のdmamp;[Sn-(dmamp)-(empa)]_2(4),[Sn-(dmamp)-(mdpa)]_2(5)および[Sn-(dmamp)-(edpa)]_2(6)を,N-アルコキシ官能化カルボキサミド配位子の1当量の錯体2を用いた塩メタセシス反応により調製した。錯体1-5は,アルコキシ酸素原子を介してμ_2-O結合によって相互接続されたスズ金属中心を有する二量体分子構造を示した。錯体1-5の分子構造は,赤道位において孤立電子対電子を有する歪んだ三方両錐形状を示した。スズ前駆体として錯体6を用いて,SnO_x膜を化学溶液堆積(CSD)とその後の堆積後アニーリング(PDA)により高温で堆積させた。SnOとSnO_2膜は,それぞれアルゴンと酸素の制御されたPDA雰囲気下で選択的に得られた。SnO膜は,高い結晶性と(101)面に沿った優先成長配向を有する正方晶のロマカイト構造を特徴とした。それらはまた,2.9eVの光学バンドギャップのため,400nmで>52%の低い透過率を示した。対照的に,SnO_2膜は正方晶キャサイトライト結晶構造を示し,400nmで>97%の非常に高い透過率が3.6eVの光学バンドギャップで観察された。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  高温 ,  焼なまし ,  分子構造 ,  アルゴン ,  酸素 ,  *スズ ,  孤立電子対 ,  メタセシス ,  正方晶系 ,  透過率 ,  前駆体 ,  官能化 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： *薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  非遷移金属元素の錯体の結晶構造  (BK09020M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学溶液堆積 ,  薄膜形成 ,  錯体