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J-GLOBAL ID：202202261216487581   整理番号：22A1156304

光検出器の光吸収層に用いられるポリシリコン膜の電気的特性を改善する方法【JST・京大機械翻訳】

Method for improving electrical property of polysilicon film used to light absorption layer of photodetector

著者 (1件)： Lee Jae-Sung (Department of Renewable Energy Engineering, Uiduk University, Gyeongju, Korea)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 80  号： 7  ページ： 613-618  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,光検出器応用のための多結晶シリコン(ポリシリコン)の光応答特性を改善するために,種々のプロセス法を示した。製造したポリシリコンは結晶粒と結晶粒界で構成され,光吸収のための長方形領域を有する。ポリシリコン系光検出器の暗電流または光電流は,光吸収が起こるポリシリコン粒と結晶粒界の化学状態に影響される。光吸収領域の寸法を変えて電気伝導率を調べ,吸収領域における結晶粒の数の依存性を見出した。次に,ポリシリコン膜の伝導特性を,種々の後続プロセスを通して制御する方法を見出すことを試みた。良好な光検出器は,暗電流を低く保ちながら,大量の光電流を示すべきである。この目的のために,適切な数の結晶粒が光吸収層の領域に含まれなければならず,その後,結晶粒界のダングリングボンドを効果的に不動態化できる熱アニールまたは水素イオン注入のようなプロセスが必要であることを見出した。Copyright The Korean Physical Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  光電流 ,  電気伝導率 ,  *光吸収 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  *電気的性質 ,  水素 ,  不動態化 ,  イオン注入 ,  暗電流 ,  結晶粒 ,  ダングリングボンド ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ポリシリコン ,  穀物 ,  結晶粒界 ,  光検出器 ,  水素不動態化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光検出器 ,  光吸収層 ,  ポリシリコン膜 ,  電気的特性