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J-GLOBAL ID：202202261245204723   整理番号：22A0985388

相と欠陥工学による二次元[数式:原文を参照]における水素放出反応【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen-Evolution Reaction in Two-Dimensional [Formula : see text] by Phase and Defect Engineering

著者 (4件)： Figueiredo Rafael O. (MackGraphe-Graphene and Nanomaterials Research Center, Mackenzie Presbyterian University, Sao Paulo 01302-907, SP, Brazil) ,  Figueiredo Rafael O. (School of Engineering, Mackenzie Presbyterian University, Sao Paulo 01302-907, SP, Brazil) ,  Seixas Leandro (MackGraphe-Graphene and Nanomaterials Research Center, Mackenzie Presbyterian University, Sao Paulo 01302-907, SP, Brazil) ,  Seixas Leandro (School of Engineering, Mackenzie Presbyterian University, Sao Paulo 01302-907, SP, Brazil)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 17  号： 3  ページ： 034035  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応は,温室効果ガスの放出のない水素の電気化学的生産における必須段階である。この反応のために,現在の触媒の白金を置換できる代替触媒材料が必要である。最近の代替案は遷移金属ジカルコゲン化物のような二次元材料を含む。ここでは,2つの結晶構造(相)を有する2次元材料パラジウムジスルフィド([数式:原文を参照])の電子的および電気化学的性質および自然点欠陥の形成を示した。第一原理計算からの水素吸着に対する五角形(P-[数式:原文を参照])相と八面体([数式:原文を参照]-[数式:原文を参照])相,点欠陥およびGibbs自由エネルギーの差を解析した。その結果,[数式:原文を参照]-[数式:原文を参照]相は,元の基底面において,P-[数式:原文を参照]相より良好な触媒活性を有することが分かった。さらに,[数式:原文を参照]-[数式:原文を参照]相におけるより低い形成エネルギーの点欠陥,S空孔は,水素生産のための触媒活性をさらに改善した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  結晶構造 ,  点欠陥 ,  エネルギー ,  *水素 ,  白金 ,  触媒活性 ,  計算 ,  Gibbs自由エネルギー ,  電気化学 ,  *二次元 ,  水素発生反応 ,  温室効果ガス
準シソーラス用語： 水素製造 ,  第一原理計算 ,  *水素放出 ,  形成エネルギー ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 相 ,  欠陥 ,  工学 ,  数式 ,  参照 ,  水素放出