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J-GLOBAL ID：202202261299519248   整理番号：22A0648717

p-i-nペロブスカイト太陽電池におけるALD NiOによる自己集合単分子層表面被覆率の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Self-Assembled Monolayer Surface Coverage by ALD NiO in p-i-n Perovskite Solar Cells

著者 (15件)： Phung Nga (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Verheijen Marcel (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Todinova Anna (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Datta Kunal (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Verhage Michael (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Al-Ashouri Amran (Young Investigator Group Perovskite Tandem Solar Cells, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Koebler Hans (Young Investigator Group Active Materials and Interfaces for Stable Perovskite Solar Cells, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Li Xin (Young Investigator Group Perovskite Tandem Solar Cells, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Abate Antonio (Young Investigator Group Active Materials and Interfaces for Stable Perovskite Solar Cells, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Abate Antonio (Department of Chemical, Materials and Production Engineering, University of Naples Federico II, Italy) ,  Albrecht Steve (Young Investigator Group Perovskite Tandem Solar Cells, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Albrecht Steve (Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Technical University Berlin, Germany) ,  Creatore Mariadriana (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands) ,  Creatore Mariadriana (Solliance, The Netherlands) ,  Creatore Mariadriana (Eindhoven Institute of Renewable Energy Systems (EIRES), The Netherlands)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 1  ページ： 2166-2176  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ハライドペロブスカイトは,それらの優れた電子特性のために大きな注目を集めている。ペロブスカイト太陽電池(PSC)のデバイス性能と安定性における最近の進展を,p-i-nアーキテクチャにおける独立正孔輸送層として機能する自己組織化単分子膜(SAM)の適用により達成した。特に,インジウム-スズ酸化物(ITO)を直接官能化するホスホン酸SAMは,高効率デバイスのために現在採用されている。その成功にもかかわらず,これまで,非被覆領域が短絡または低開回路電圧をもたらすことができるので,デバイス性能に影響を及ぼすことができるPSC応用で使用されるITO上のSAMの表面被覆率についてはほとんど知られていない。本研究では,ITO上のSAMの表面被覆を調べ,MeO-2PACz([2-3,6-ジメトキシ-9H-カルバゾール-9-イル)-エチル]-ホスホン酸)のSAMがITO基板を不均一に覆っていることを観測した。代わりに,ITOとSAMの間のNiOの中間層を採用するとき,SAMの均質性,従って表面被覆率は改善される。本研究では,NiOを前駆体としてNi-(MeCp)_2,共反応物としてO_2プラズマを用いてプラズマ支援原子層堆積(ALD)によって処理した。特に,ALD NiOの存在は金属酸化物領域上のSAM分子の均一な分布をもたらし,ITO上に直接処理したSAMを有するデバイスにおける高いシャント抵抗を伴った。同時に,SAMはNiO単独の場合に比べてNiO+MeO-2PACz素子の開回路電圧の改善に重要である。このように,NiOとSAMの組合せは,20%以上の効率的なチャンピオンデバイスに達するデバイス性能のより狭い分布をもたらした。NiO存在下のSAM被覆率の増強は,透過型電子顕微鏡(TEM)による先進イメージング,Rutherford後方散乱分光法(RBS)による元素組成定量化,および導電性原子間力顕微鏡(c-AFM)マッピングを含むいくつかのキャラクタリゼーション技術によって裏付けられた。この知見は,ペロブスカイトPVにおけるホスホン酸系SAM分子の使用をさらに促進すると信じる。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  インジウム ,  *被覆 ,  酸化スズ ,  酸化ニッケル ,  画像処理 ,  ホスホン酸 ,  前駆体 ,  官能化 ,  計算機アーキテクチャ ,  透過型電子顕微鏡 ,  *表面被覆
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  元素組成 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  原子層蒸着 ,  酸化ニッケル ,  インジウムすず酸化物 ,  自己組織化単分子層 ,  表面被覆率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  ALD ,  自己集合単分子層 ,  増強