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J-GLOBAL ID：202202261315067598   整理番号：22A0428841

膜蒸留における石膏スケーリング:温度と蒸気フラックスの影響【JST・京大機械翻訳】

Gypsum scaling in membrane distillation: Impacts of temperature and vapor flux

著者 (9件)： Christie Kofi S.S. (Department of Civil and Environmental Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1831, USA) ,  Horseman Thomas (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1604, USA) ,  Wang Ruoyu (Department of Civil and Environmental Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1831, USA) ,  Su Chunlei (Department of Civil and Environmental Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1831, USA) ,  Su Chunlei (Beijing Engineering Research Centre of Process Pollution Control, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Su Chunlei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Tong Tiezheng (Department of Civil and Environmental Engineering, Colorado State University, Fort Collins, CO 80523, USA) ,  Lin Shihong (Department of Civil and Environmental Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1831, USA) ,  Lin Shihong (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235-1604, USA)
資料名： Desalination  (Desalination)
巻： 525  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0934A  ISSN： 0011-9164  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 難溶性石膏(CaSO_4・2H_2O)による鉱物スケーリングは膜蒸留(MD)に対する持続的課題である。沈殿溶液の熱力学的状態と急速な鉱物成長によるフラックス低下の点の間の基礎となる関係は,不明のままである。本研究では,半経験的モデルと共に一連の実験を行い,供給/膜界面での供給溶液の熱力学的状態を調べ,スケーリングの臨界点を評価し比較した。実験は,供給温度と蒸気フラックスの影響を切り離す方法で意図的に設計した。膜界面での沈殿溶液の熱力学状態を飽和指数と溶解イオンと石膏鉱物間の化学ポテンシャル差に由来する核形成エネルギー障壁を用いて評価した。モデルは,確立された熱および物質移動関係に根付され,実験を実施するために使用された試験条件を反映する。モデルは,バルク供給溶液温度が50から80°C(一定フラックスで),および10から40Lm-2h-1(一定供給温度)の範囲の膜貫通水フラックスで,一連の操作条件にわたる実験結果で構築される。誘導点で計算した界面飽和指数は,異なる実験で一致せず,MDにおける石膏スケーリングが熱力学の代わりに動力学によって制御されることを確認した。また,温度が臨界回復に影響するのに蒸気フラックスよりも重要な役割を果たすことを見出した。最後に,MDにおける石膏スケーリングが膜表面への不均一核形成によって支配されているという実験的観察を支持する理論的推論も提供した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  界面 ,  化学ポテンシャル ,  核形成 ,  鉱物 ,  物質移動 ,  熱力学 ,  溶解 ,  沈殿 ,  *石膏 ,  臨界点 ,  臨界
準シソーラス用語： 操作条件 ,  *膜蒸留 ,  エネルギー障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 膜蒸留 ,  スケーリング ,  石膏 ,  核生成障壁高さ ,  準安定性 ,  誘導点 ,  飼料温度 ,  フラックス

分類 (1件)： 膜分離  (XD02120Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 膜蒸留 ,  石膏 ,  スケーリング ,  蒸気 ,  フラックス