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J-GLOBAL ID：202202261642219546   整理番号：22A0740012

レベルセットアプローチと分子動力学を用いたシリコン-オン-ノット構造の形成機構【JST・京大機械翻訳】

Formation mechanism of a silicon-on-nothing structure using the level-set approach and molecular dynamics

著者 (3件)： Hao Xiuchun (School of Mechanical Engineering Jiangsu University, Zhenjiang 212000, People’s Republic of China) ,  Wang Jiawei (School of Mechanical Engineering Jiangsu University, Zhenjiang 212000, People’s Republic of China) ,  He Peiling (School of Mechanical Engineering Jiangsu University, Zhenjiang 212000, People’s Republic of China)
資料名： Materials Today Communications  (Materials Today Communications)
巻： 30  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3060A  ISSN： 2352-4928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,SON構造の形成機構をシミュレーションすることである。シリコン原子表面拡散理論に基づいて,COMSOL Multiphysicsソフトウェアにおける「Level-Set」モジュールを用いて,シリコンオンノッシング(SON)構造の形成をシミュレートした。巨視的観点から,SON構造の形成に及ぼす初期トレンチサイズと加熱時間の影響を解析した。さらに,分子動力学シミュレーションを用いて,微視的観点からSON構造の形成のためのRTP(急速温度処理)中のシリコン原子の移動過程を研究した。最後に,1150°Cの温度で高真空下でSON構造を作製した。実験でのSON生成プロセスはシミュレーション結果と一致し,シミュレーションに用いた理論モデルの正当性とSON構造の生成メカニズムに関する推論の合理性を検証した。本研究はSON構造の作製のための参照を提供するであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  シミュレーション ,  表面 ,  計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  高真空 ,  ソフトウェア ,  高速度 ,  *分子動力学
準シソーラス用語： 理論モデル ,  生成機構 ,  分子動力学シミュレーション ,  形成機構 ,  COMSOL ,  加熱時間 ,  拡散理論 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： レベルセットモジュール ,  分子動力学 ,  シリコンオンインシュレータ(SOI)デバイス ,  シリコン・オン・ノイズ(SON)構造 ,  シリコントレンチ

分類 (5件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属の結晶構造  (BK06000V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子動力学 ,  シリコン ,  ノット