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J-GLOBAL ID：202202261820142880   整理番号：22A0396290

埋め込みFeRAMを28nmから28nmまで,2T1C構造を超えた技術経路【JST・京大機械翻訳】

A Technology Path for Scaling Embedded FeRAM to 28 nm and Beyond With 2T1C Structure

著者 (6件)： Luo Yuan-Chun (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Hur Jae (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Wang Zheng (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Shim Wonbo (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Khan Asif Islam (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Yu Shimeng (Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 1  ページ： 109-114  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)強誘電体ランダムアクセスメモリ(FeRAM)を1T1C構造の130nmノードで実証した。FeRAMを28nmまたはそれ以上にスケールするために,高アスペクト比埋め込み動的ランダムアクセスメモリ(eDRAM)様3Dシリンダキャパシタは,十分なセル容量とセンスマージンを確実にすることが期待される。本研究では,バックエンドオブライン(BEOL)酸化物チャネル書き込みトランジスタ,小型平面強誘電体(FE)キャパシタ,およびシリコン論理読取トランジスタを利用した2T1C構造による代替アプローチを研究した。最初に,2T1Cビットセルの概念実証を実験的に示した。次に,28nm以上のスケーラビリティをアレイレベルの寄生でシミュレートした。相互コンダクタンス読み取り機構により,2T1Cにおける900nm2FEキャパシタは,28nmで類似のセル面積を有する従来の1T1C FeRAMと比較して,エネルギー消費6.4≦λ≦9.6×を著しく低減できた。さらに,FEキャパシタと読取トランジスタ間の面積比を実験とSPICEシミュレーションの両方で調べ,パルススキームの調整が最大センスマージンの発生に必要である。最後に,7nmにおける性能を,読取/書込みエネルギーとセル面積の観点から推定した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  コンデンサ ,  シミュレーション ,  トランジスタ ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  パルス ,  エネルギー消費 ,  三次元 ,  チャネル ,  相互コンダクタンス ,  DRAM ,  RAM【メモリ】 ,  *FeRAM
準シソーラス用語： BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋め込み ,  FeRAM ,  経路