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J-GLOBAL ID:202202261823312397   整理番号:22A0438374

pHセンシングのためのGa_2O_3ナノロッド系拡張ゲート電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Ga2O3 nanorod-based extended-gate field-effect transistors for pH sensing
著者 (7件):
資料名:
巻: 276  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,拡張ゲート電界効果トランジスタに基づく酸化ガリウム(Ga_2O_3)ナノロッドのpHセンシング特性を,化学浴析出によりITO/ガラス上に成長させた。Ga_2O_3ナノロッドを,走査電子顕微鏡,X線回折,エネルギー分散分光,透過型電子顕微鏡(TEM),Fourier変換赤外分光法(FTIR),およびRamanスペクトル装置を用いて観察した。実験結果は,α-Ga_2O_3ナノロッドが40-600°Cで1時間アニールした後,いくつかの結晶方位([104],[110],[024],[116])を有することを示した。FTIRとRamanスペクトル測定はGa-OとGa-OHの曲げモードの存在を確認した。TEMで観察したように,ナノロッドは良好な結晶品質と原子格子配列を有した。さらに,Ga_2O_3/ITOpHセンサは,高いpH感度(51.59~64.29mV/pH),良好な直線性(98.5%~99.8%)および長期安定性(ドリフト,2.75mV/h;pH=7)を有していた。全体として,α-Ga_2O_3は,pHまたはバイオセンサのための低コストFETベース製造センサとして使用できた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物のルミネセンス  ,  光化学一般  ,  酸化物の結晶成長 

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