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J-GLOBAL ID:202202261964233822   整理番号:22A0414984

多様なシナプス可塑性を有するデュアルモードオプトエレクトロニックシナプスデバイス【JST・京大機械翻訳】

Dual-Modal Optoelectronic Synaptic Devices with Versatile Synaptic Plasticity
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: e2107973  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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生物学的シナプスを模倣するオプトエレクトロニックシナプスデバイスは,オプトエレクトロニック統合に基づく人工ニューラルネットワーク(ANN)の重要なビルディングブロックである。ここでは,シリコンナノ結晶(Si NC)とポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)のハイブリッド構造に基づくオプトエレクトロニックシナプスデバイスが,二重モードで動作し,多用途のシナプス可塑性を示す。3端子モードでは,デバイスはシナプストランジスタであり,Si NC/P3HTハイブリッド構造により可能な井戸により波長選択的シナプス可塑性を持つ。2端子モードにおいて,それはシナプス金属-オキシド-半導体(MOS)デバイスであり,それは光刺激によってスパイク速度依存性可塑性(SRDP)とメタ可塑性を模倣することができる。波長選択性シナプス可塑性に基づいて,光刺激ANNを提案し,約90.4%の精度で手書き数字を認識する。さらに,SRDPとメタ可塑性は,画像のエッジ検出のシミュレーションのためによく使用され,実時間画像処理を容易にした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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太陽電池  ,  ニューロコンピュータ  ,  トランジスタ  ,  脳・神経系モデル 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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