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J-GLOBAL ID:202202261999695045   整理番号:22A0551500

プラズモンアルキメデス螺旋ナノ構造による室温における単層WS_2の電気的に調整可能な劇的に増強された谷分極発光【JST・京大機械翻訳】

Electrically Tunable and Dramatically Enhanced Valley-Polarized Emission of Monolayer WS2 at Room Temperature with Plasmonic Archimedes Spiral Nanostructures
著者 (6件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: e2104863  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,固有の谷自由度を有し,情報保存と処理におけるバレートロン応用の利用に魅力的である。WS_2単層はBrillouinゾーンに2つの不等価な谷を持ち,各谷は光の円偏光と選択的に結合した。円偏光(CPL)の励起下の谷分極(DVP)の程度は,単層WS_2の谷偏光光ルミネセンス(PL)の純度を決定するパラメータである。ここでは,プラズモンArchimedesスパイラル(PAS)ナノ構造との表面プラズモン-励起子相互作用による室温(RT)での単層WS_2からの谷偏光PLの効率的調整を報告した。RTでのWS_2のDVPは,PASの2ターン(2T)と4ターン(4T)を用いて,それぞれ<5%から40%と50%まで増強できる。静電ドーピング単層WS_2により,励起子谷分極のさらなる増強と制御を実証した。WS_2-2TPASヘテロ構造上のCPLに対して,40%の谷分極はバックゲートを介してキャリアドーピングを調節することにより70%まで増強され,これは運動量依存性長距離電子-正孔交換相互作用のスクリーニングに起因すると考えられる。WS_2-PASヘテロ構造からの電気的に調整可能な谷偏光発光の兆候は,超薄バレートロンデバイスへの応用のために谷励起子を利用する新しい戦略を示す。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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原子・分子のクラスタ  ,  固-固界面  ,  各種物理的手法  ,  電気化学反応  ,  有機化合物のルミネセンス 

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