Ye Xianfeng について
Institute for Computational Materials Science, School of Physics and Electronics, International Joint Research Laboratory of New Energy Materials and Devices of Henan Province, Henan University, Kaifeng 475004, China について
Feng Zhenzhen について
Institute for Computational Materials Science, School of Physics and Electronics, International Joint Research Laboratory of New Energy Materials and Devices of Henan Province, Henan University, Kaifeng 475004, China について
Zhang Yongsheng について
Science Island Branch of Graduate School, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China について
Zhang Yongsheng について
Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China について
Zhao Gaofeng について
Institute for Computational Materials Science, School of Physics and Electronics, International Joint Research Laboratory of New Energy Materials and Devices of Henan Province, Henan University, Kaifeng 475004, China について
Singh David J. について
Department of Physics and Astronomy, Department of Mechanical & Aerospace Engineering and Department of Chemistry, University of Missouri, Columbia, Missouri 65211, USA について
Physical Review. B について
イオン について
高温 について
電子構造 について
熱伝導率 について
フォノン について
カドミウム について
ネットワーク について
ドーピング について
エレクトロトランスポート について
価電子バンド について
縮退 について
熱電材料 について
輸送特性 について
格子熱伝導率 について
p型ドーピング について
非調和性 について
半導体結晶の電子構造 について
金属結晶の電子伝導 について
半導体結晶の電気伝導 について
Cd について
ボンド について
熱伝導率 について