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J-GLOBAL ID:202202262037785918   整理番号:22A0985762

半Heusler PCDNaにおけるCdのアンダボンドによる低い熱伝導率と高い熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Low thermal conductivity and high thermoelectric performance via Cd underbonding in half-Heusler PCdNa
著者 (6件):
資料名:
巻: 105  号: 10  ページ: 104309  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半ホイスラー化合物は,それらの好ましい電気輸送挙動とデバイス作製に有益な他の特性のため,有望な高温熱電材料として注目されている非常に大きなクラスの材料である。特別の課題は,ハーフホイスラー化合物が例外的に大きな範囲の熱伝導率を示すことであるが,これらは他の最先端の熱電材料よりも一般的に高い。ここでは,半ホイスラー構造で形成され,異常に低い熱伝導率を持つ材料であると報告されているPCdNaを調べた。これは,その非常に低い熱伝導率を理解し,熱電性に関連してその電子特性を解明する。300Kでの2.6W/mKの低い熱伝導率は,Pにより形成されたネットワーク内のCdイオンのアンダーボンディングの結果であることを見いだした。このアンダーボンディングは,非調和性と比較的低い周波数フォノンをもたらし,一般化有効ラトルリング現象と見なされる。電子構造は,高い価電子帯縮退を示し,良好な電気輸送特性をもたらすことを見出した。低い格子熱伝導率と好ましい電気輸送特性の組合せは高いp型熱電性能をもたらす。性能指数は最適p型ドーピングに対して900Kで[数式:原文を参照]に達すると予測される。これは,PCdNaが有望なp型高温半ホイスラー熱電材料であることを示唆する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体結晶の電子構造  ,  金属結晶の電子伝導  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (3件):
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